[发明专利]传输线偏压电阻器

权利要求书

1.一种射频RF系统，所述RF系统包括：

传输线，配置为在第一端口和第二端口之间传递RF信号；

一个或多个DC偏压电阻器，在第一端口和第二端口之间的位置处耦合到传输线，每个DC偏压电阻器提供用于将DC电流注入到传输线以提供用于RF信号的DC偏压的路径；

其中，每个DC偏压电阻器经由与传输线直接接触的尖端接触耦合到传输线。

2.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述尖端接触是锥形的。

3.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述尖端接触具有三角形，其中，所述三角形的点耦合到传输线。

4.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述尖端接触形成DC偏压电阻器的一部分。

5.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述尖端接触是在DC偏压电阻器和传输线之间耦合的结构。

6. 如权利要求1所述的RF系统，其中，所述传输线配置为传递具有在大约500 MHz到大约40 GHz范围内的频率的RF信号。

7.如权利要求1所述的RF系统，进一步包括耦合到传输线的DC屏蔽电容器。

8.如权利要求1所述的RF系统，其中，一个或多个DC偏压电阻器包括经由第一尖端接触耦合到传输线的第一DC偏压电阻器和经由第二尖端接触耦合到传输线的第二DC偏压电阻器，其中，所述第一DC偏压电阻器和所述第一尖端接触关于传输线与所述第二DC偏压电阻器和所述第二尖端接触镜像。

9.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述第一端口耦合到有源器件。

10.如权利要求9所述的RF系统，其中，所述有源器件包括晶体管、专用集成电路、光学传感器或者激光二极管。

11.一种表面安装器件，所述表面安装器件包括：

平面传输线，具有第一端和第二端，

薄膜DC偏压电阻器，在第一端和第二端之间的位置经由直接接触平面传输线的尖端接触耦合到平面传输线；

第一接触焊盘，耦合到平面传输线的第一端；

第二接触焊盘，耦合到平面传输线的第二端；和

第三接触焊盘，耦合到薄膜DC偏压电阻器。

12.如权利要求11所述的表面安装器件，其中，所述尖端接触是锥形的。

13.如权利要求11所述的表面安装器件，其中，所述表面安装器件包括第二薄膜DC偏压电阻器，所述第二薄膜DC偏压电阻器在第一端和第二端之间的位置经由直接接触传输线的第二尖端接触耦合到平面传输线，其中，第四接触焊盘耦合到第二薄膜DC偏压电阻器。

14.如权利要求11所述的表面安装器件，其中，所述薄膜DC偏压电阻器包括CrSi材料。

15.如权利要求11所述的表面安装器件，其中，所述平面传输线提供在电介质基底上。

16.一种在传输线中提供DC偏压的方法，所述方法包括：

将RF信号从平面传输线的第一端口传递到平面传输线的第二端口，所述平面传输线提供在电介质基底上；

经由薄膜DC偏压电阻器将DC电流偏压注入到RF信号；

其中，所述薄膜DC偏压电阻器在第一端口和第二端口之间的位置经由直接接触所述传输线的尖端接触耦合到传输线。

17. 如权利要求16所述的方法，其中，所述RF信号与在大约500 MHz到大约40 GHz的范围内的频率相关联。