[发明专利]绝缘膜的成膜方法、基板处理装置和基板处理系统

权利要求书

1.一种绝缘膜的成膜方法，其特征在于，包括如下工序：

形成涂布膜的工序，在基板上涂布涂布液而形成涂布膜，所述涂布液是在溶剂中溶解有用于形成包含氧化硅的绝缘膜的前体而成的；

溶剂挥发工序，使所述涂布膜中的溶剂挥发；

能量供给工序，在溶剂挥发工序之后，为了在构成所述前体的分子团中生成悬挂键，在氧浓度低于大气的低氧气氛中向所述涂布膜供给能量；

形成保护膜的工序，在所述涂布膜的表面形成保护膜，所述保护膜用于抑制涂布膜中的悬挂键因大气气氛所产生的氧化；和，

固化工序，在形成保护膜的工序之后，将所述基板加热，使所述前体交联而形成绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，所述保护膜为有机膜。

3.根据权利要求1所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，

所述形成保护膜的工序包括如下工序：

第2能量供给工序，使所述能量供给工序为第1能量供给工序时，接着第1能量供给工序，在氧浓度低于大气的低氧气氛中向所述涂布膜进一步供给能量；和，

形成氧化膜的工序，在第2能量供给工序后，将涂布膜的表面氧化，形成成为保护膜的氧化膜。

4.根据权利要求1所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，接着所述形成保护膜的工序，包括将基板载置于大气气氛中的工序，接着进行固化工序。

5.根据权利要求1所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，在所述溶剂挥发工序后，进行再加热工序，所述再加热工序是为了使涂布膜中的分子团再排列而对基板进行加热的工序。

6.根据权利要求5所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，所述能量供给工序是在所述再加热工序后，在使基板的温度降温了的状态下进行的工序。

7.根据权利要求1所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，进行所述能量供给工序的低氧气氛的氧浓度为400ppm以下。

8.根据权利要求1所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，所述低氧气氛为包含非活性气体的气氛。

9.根据权利要求1所述的绝缘膜的成膜方法，其特征在于，所述能量为主要波长短于200nm的紫外线的能量。

10.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

涂布模块，其用于在基板上涂布涂布液而形成涂布膜，所述涂布液是在溶剂中溶解有用于形成包含氧化硅的绝缘膜的前体而成的；

溶剂挥发模块，其用于使所述涂布膜中的溶剂挥发；

能量供给模块，其用于对已挥发溶剂的涂布膜在氧浓度低于大气的低氧气氛中供给能量，以使所述前体活化；

保护膜形成模块，其用于在供给了所述能量的涂布膜上形成保护膜；和，

基板运送机构，其用于在各模块之间运送基板。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述保护膜形成模块为在涂布膜的表面形成有机膜的有机膜形成模块。

12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述保护膜形成模块与所述能量供给模块通用，所述能量供给模块用于在构成所述前体的分子团中生成悬挂键，且在涂布膜的表面通过氧化形成成为致密的氧化层的、活性得到提高的层。

13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述溶剂挥发模块为将基板加热的溶剂加热用的加热模块。

14.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，具备再加热用的加热模块，其为了使已挥发溶剂的涂布膜中的分子团再排列而将基板加热。