[发明专利]指定读取命令的读取电压偏移量的方法和装置在审
申请号: | 201880056412.3 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN111095418A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | A·S·马德拉斯瓦拉;X·郭;N·V·普拉布;Y·杜;P·S·苏莱 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/30;G11C16/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘炳胜 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 指定 读取 命令 电压 偏移 方法 装置 | ||
1.一种装置,包括:
存储器阵列;和
控制器,其用于:
接收指定读取电压偏移量配置文件标识符的第一读取命令;
识别与所述读取电压偏移量配置文件标识符相关联的读取电压偏移量配置文件,所述读取电压偏移量配置文件包括至少一个读取电压偏移量;以及
使用根据所述读取电压偏移量配置文件中的所述至少一个读取电压偏移量调整的至少一个读取电压,执行由所述第一读取命令指定的第一读取操作。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取电压偏移量配置文件标识符是在所述读取命令的地址周期中指定的。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述控制器:
接收在所述读取命令的地址周期中指定默认读取电压偏移量配置文件标识符的第二读取命令;以及
基于所述默认读取电压偏移量配置文件标识符,确定不针对第二读取操作调整所述至少一个读取电压。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取电压偏移量配置文件标识符是在所述读取命令的最后一个地址周期中指定的。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取电压偏移量配置文件标识符是在所述第一读取命令的命令周期中指定的。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取电压偏移量配置文件标识符是在所述第一读取命令的最后一个命令周期期间发送的操作码中指定的。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取电压偏移量配置文件标识符是在所述第一读取命令的第一命令周期期间发送的操作码中指定的。
8.根据权利要求1所述的装置,所述控制器进一步:
接收指定所述至少一个读取偏移量电压和所述读取电压偏移量配置文件标识符的配置命令;以及
在存储器中与所述读取电压偏移量配置文件标识符相关联地存储所述至少一个读取偏移量电压。
9.根据权利要求1所述的装置,进一步包括第二控制器,用于基于所述读取命令所针对的数据的年限从多个读取电压偏移量配置文件标识符中选择所述读取电压偏移量配置文件标识符。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取命令是多平面读取命令,并且至少一个经调整的读取电压被应用于从所述多平面读取命令中指定的多个平面中的每个平面读取数据。
11.一种方法,包括:
接收指定读取电压偏移量配置文件标识符的第一读取命令;
识别与所述读取电压偏移量配置文件标识符相关联的读取电压偏移量配置文件,所述读取电压偏移量配置文件包括至少一个读取电压偏移量;以及
使用根据所述读取电压偏移量配置文件中的所述至少一个读取电压偏移量调整的至少一个读取电压来执行由所述第一读取命令指定的第一读取操作。
12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括在所述读取命令的地址周期中指定所述读取电压偏移量配置文件标识符。
13.根据权利要求11所述的方法,进一步包括在所述第一读取命令的命令周期中指定所述读取电压偏移量配置文件标识符。
14.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:
接收指定所述至少一个读取偏移量电压和所述读取电压偏移量配置文件标识符的配置命令;以及
在存储器中与所述读取电压偏移量配置文件标识符相关联地存储所述至少一个读取偏移量电压。
15.根据权利要求11所述的方法,进一步包括基于所述读取命令所针对的数据的年限从多个读取电压偏移量配置文件标识符中选择所述读取电压偏移量配置文件标识符。
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