[发明专利]用于蛋白质印迹的高功率激光器在审
| 申请号: | 201880056181.6 | 申请日: | 2018-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN111094938A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
| 发明(设计)人: | E·思拉什;S·史沃特 | 申请(专利权)人: | 生物辐射实验室股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/01 | 分类号: | G01N21/01;G01N33/52;A61K49/10;H01S5/06;H01S5/0625 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周全;钱慰民 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 蛋白质 印迹 功率 激光器 | ||
1.一种用于样本的落射照明器,所述落射照明器包括:
平面平台,所述平面平台具有样本侧,所述样本侧被配置为支持所述样本;
激发光源,所述激发光源包括激光器以及光学漫射器,其中,所述光学漫射器被安装在所述平面平台上方并且沿着所述激光器的光学路径被定位在所述激光器与所述平面平台之间,并且其中所述激光器具有从5W至500W的范围内的功率;以及
传感器,所述传感器被配置为检测从所述样本发射的荧光发射光,其中,所述荧光发射光具有荧光发射波长,并且其中所述激发光并不包括具有所述荧光发射波长的激发光。
2.根据权利要求1所述的落射照明器,其特征在于,所述光学漫射器是具有从3度至70度的范围内的漫射半角的全息漫射器。
3.根据权利要求1或2所述的落射照明器,其特征在于,所述光学漫射器是磨砂玻璃漫射器或工程微透镜阵列。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述激光器具有从10W至80W的范围内的功率。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述激光器是半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列或边缘发射半导体激光器阵列。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述激光器具有两个或更多个空间模式或纵向模式。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述平面平台的所述样本侧具有从10cm2至500cm2的范围内的区域。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述激发光具有从640nm至850nm的范围内的波长。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述激发光源包括两个或更多个激光器或激光器阵列,并且其中所述两个或更多个激光器或激光器阵列中的每一个具有从5W至500W的范围内的功率。
10.一种用于样本的落射照明器,所述落射照明器包括:
平面平台,所述平面平台具有样本侧,所述样本侧被配置为支持所述样本;
激发光源,所述激发光源安装在所述平面平台上方,其中,所述激发光源包括五个或更多个激光器,并且其中所述激发光源具有大于5W的总功率;以及
传感器,所述传感器被配置为检测从所述样本发射的荧光发射光,其中,所述荧光发射光具有荧光发射波长,并且其中所述激发光并不包括具有所述荧光发射波长的激发光。
11.根据权利要求10所述的落射照明器,其特征在于,所述激发光源包括100个或更多个激光器,并且其中所述100个或者更多个激光器中的每一个具有小于100mW的功率。
12.根据权利要求10或11所述的落射照明器,其特征在于,所述激发光源是半导体VCSEL阵列,或其中所述激光器中的每一个是边缘发射半导体激光器。
13.根据权利要求10-12中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述激光器中的每一个具有从5W至50W的范围内的功率。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的落射照明器,其特征在于,所述激光器中的每一个具有两个或更多个空间模式或纵向模式。
15.一种用于样本成像的方法,所述方法包括:
提供权利要求1-14中任一项所述的落射照明器;
将所述样本放置在所述平面平台上;
使用由所述激发光源产生的光照亮所述样本;以及
使用所述传感器检测从所述样本发射的荧光发射光。
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