[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，具备：

透明基板；

第1光电转换部，具备设置于所述透明基板上的第1透明电极、配置于所述第1透明电极上且含有钙钛矿化合物的第1光电转换层和配置于所述第1光电转换层上的第1对置电极；

第2光电转换部，具备在所述透明基板上与所述第1透明电极邻接地设置且与所述第1透明电极分离的第2透明电极、在所述第2透明电极上与所述第1光电转换层邻接地配置且包含钙钛矿化合物的第2光电转换层和配置于所述第2光电转换层上的第2对置电极；

连接部，将所述第1对置电极和所述第2透明电极电连接；以及

非活性区域，在所述第1光电转换层与所述第2光电转换层之间，以将邻接的所述第1光电转换层和所述第2光电转换层的邻接部之间电分离的方式设置，且电阻高于所述第1光电转换层和所述第2光电转换层，

所述钙钛矿化合物具有由下式表示的组分，

通式：ABX₃，

在此，A位是选自甲基铵离子、甲脒离子、钾离子，铷离子和铯离子中的至少一种一价阳离子，B位是选自铅离子、锗离子和锡离子中的至少一种二价阳离子，X位是选自碘离子、溴离子和氯离子中的至少一种一价卤素阴离子，

所述非活性区域包含选自构成所述A位的金属和构成所述B位的金属中的至少一种金属的卤化物。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述金属的卤化物包括卤化铅。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，

所述非活性区域含有50％以上体积的所述金属的卤化物。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述非活性区域形成于从所述第2对置电极的端部向内侧1μm以内的区域。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述非活性区域包含在槽的至少壁面形成的所述金属的卤化物，所述槽以将邻接的所述第1光电转换层和所述第2光电转换层分离的方式设置。

6.一种光电转换元件的制造方法，具备：

在透明基板上形成第1透明电极和与所述第1透明电极邻接且与所述第1透明电极分离的第2透明电极的工序；

以覆盖所述第1透明电极和所述第2透明电极的方式在所述透明基板上形成含有钙钛矿化合物的光电转换层的工序；

在所述光电转换层上形成对置电极的工序；以及

将所述光电转换层的所述钙钛矿化合物的一部分变质为电阻比所述光电转换层高的物质而形成非活性区域，至少使所述光电转换层与所述第1透明电极和所述第2透明电极对应地分离为第1光电转换层和第2光电转换层的工序。

7.根据权利要求6所述的光电转换元件的制造方法，其中，

所述钙钛矿化合物具有由下式表示的组分，

通式：ABX₃，

在此，A位是选自甲基铵离子、甲脒离子、钾离子，铷离子和铯离子中的至少一种一价阳离子，B位是选自铅离子、锗离子和锡离子中的至少一种二价阳离子，X位是选自碘离子、溴离子和氯离子中的至少一种一价卤素阴离子。

8.根据权利要求7所述的光电转换元件的制造方法，其中，

所述非活性区域包含选自构成所述A位的金属和构成所述B位的金属中的至少一种金属的卤化物。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的光电转换元件的制造方法，其中，

通过将所述光电转换层的一部分暴露于大气气氛、加湿气氛或溶剂气氛，使所述钙钛矿化合物的一部分变质而形成所述非活性区域。

10.根据权利要求8所述的光电转换元件的制造方法，其中，

分离工序具备将所述光电转换层和所述对置电极与所述第1透明电极和所述第2透明电极对应地刻划而形成分离槽，在所述分离槽的至少壁面形成所述金属的卤化物的工序。

11.根据权利要求10所述的光电转换元件的制造方法，其中，

通过将形成有所述分离槽的所述光电转换层和所述对置电极暴露于大气气氛、加湿气氛或溶剂气氛，使所述钙钛矿化合物的一部分变质为所述金属的卤化物而形成所述非活性区域。