[发明专利]断电响应

说明书

操作存储器的方法和配置成执行类似方法的设备包含：获得指示存储于所述存储器的特定存储器单元中的数据值的信息；将额外数据编程到所述特定存储器单元；在将所述额外数据编程到所述特定存储器单元时，确定是否指示所述存储器的断电；以及如果指示所述存储器的断电，那么响应于指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息而选择性地编程一对栅极连接非易失性存储器单元的一个存储器单元。所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元与所述对栅极连接非易失性存储器单元的另一存储器单元的阈值电压的所得组合表示指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息。

技术领域

本公开大体上涉及存储器，且确切地说，在一或多个实施例中，本公开涉及响应于设备中的断电的方法。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(random-access memory；RAM)、只读存储器(read only memory；ROM)、动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random access memory；SDRAM)和快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于广泛范围的电子应用的广受欢迎的非易失性存储器源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)或其它物理现象(例如，相变或偏振)进行编程，存储器单元的阈值电压(Vt)的改变确定每个存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话和可拆卸式存储器模块，且非易失性存储器的使用在持续扩增。

NAND快闪存储器是常用类型的快闪存储器装置，如此称谓的原因在于布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，用于NAND快闪存储器的存储器单元阵列布置成使得阵列中的一行中的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，如字线。阵列中的列包含在一对选择栅极之间，例如在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间，串联连接在一起的存储器单元串(常常称为NAND串)。每个源极选择晶体管可连接到源极，而每个漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。使用存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间的超过一个选择栅极的变型是已知的。

在对存储器进行编程中，存储器单元可大体编程为通常称为单层级单元(single-level cell；SLC)或多层级单元(multiple-level cell；MLC)的存储器单元。SLC可使用单个存储器单元来表示一个数字(例如，一位)数据。举例来说，在SLC中，2.5V的Vt可指示编程的存储器单元(例如，表示逻辑0)，而-0.5V的Vt可指示擦除的单元(例如，表示逻辑1)。作为一实例，SLC中的擦除状态可由小于或等于0V的任何阈值电压表示，而编程的数据状态可由大于0V的任何阈值电压表示。

MLC使用超过两个Vt范围，其中每一Vt范围指示不同数据状态。如通常已知，如死区(dead space)的裕量(例如，一定数量伏)可分隔相邻Vt范围，例如，以促进数据状态之间的区分。多层级单元可通过将位模式指派到特定Vt范围来利用传统非易失性存储器单元的类比性质。虽然MLC通常使用存储器单元来表示二进制数个数据状态(例如，4、8、16...)中的一个数据状态，但操作为MLC的存储器单元可用于表示非二进制数个数据状态。举例来说，其中MLC使用三个Vt范围，两个存储器单元可用于共同地表示八个数据状态中的一个。