[发明专利]断电响应

权利要求书

1.一种操作存储器的方法，其包括：

获得指示存储于所述存储器的特定存储器单元中的数据值的信息；

将额外数据编程到所述特定存储器单元；

在将所述额外数据编程到所述特定存储器单元时，确定是否指示所述存储器的断电；以及

如果指示所述存储器的断电，那么响应于指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息而选择性地编程一对栅极连接非易失性存储器单元的一个存储器单元；

其中所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元的阈值电压与所述对栅极连接非易失性存储器单元的另一存储器单元的阈值电压的所得组合是表示指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息。

2.根据权利要求1所述的方法，其中响应于指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息而选择性地编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元包括：

将第一电压电平施加到所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元的第一源极/漏极且施加到所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述另一存储器单元的第一源极/漏极；

将高于所述第一电压电平的第二电压电平施加到所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元的栅极且施加到所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述另一存储器单元的栅极；

将高于所述第一电压电平且低于所述第二电压电平的第三电压电平施加到所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元的第二源极/漏极；以及

将所述第一电压电平施加到所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述另一存储器单元的第二源极/漏极。

3.根据权利要求2所述的方法，其中选择所述第一电压电平、所述第二电压电平以及所述第三电压电平的组合以使得电荷在所述一个存储器单元的编程期间累积在所述一个存储器单元的数据存储结构中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中进一步选择所述第一电压电平、所述第二电压电平以及所述第三电压电平的所述组合以抑制电荷在所述一个存储器单元的编程期间累积在所述另一存储器单元的数据存储结构中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中响应于指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息而选择性地编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元包括：如果指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息具有第一逻辑电平，那么编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元；以及如果指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息具有不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平，那么抑制所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元的编程。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括如果指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息具有所述第二逻辑电平，那么编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述另一存储器单元。

7.根据权利要求1所述的方法，其中响应于指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息而选择性地编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元包括：如果指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息具有逻辑低电平，那么编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元；以及如果指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息具有逻辑高电平，那么编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述另一存储器单元。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在指示断电的情况下响应于指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息而选择性地编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元包括：仅在指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息具有特定逻辑电平时，才编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元；以及如果指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息具有不同逻辑电平，那么皆不编程所述对栅极连接非易失性存储器单元的两个存储器单元。