[发明专利]阻气膜有效

专利信息
申请号: 201880055572.6 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN111065514B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 望月佳彦 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;C23C16/42
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 薛海蛟
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 阻气膜
【说明书】:

本发明提供一种耐弯曲性、透明性及生产率等优异,而且,还具有充分的阻气性及耐高温高湿性的阻气膜。阻气膜具有至少1组含有氮化硅且厚度为2~15nm的无机层和含有无机层的成分及成为无机层的形成面的层的成分且厚度为2~25nm的混合层的组合,无机层的N/Si原子比为0.7~0.97。

技术领域

本发明涉及一种耐弯曲性及透明性优异的阻气膜。

背景技术

使用太阳能电池、有机电致发光元件及量子点的照明装置等中使用阻气膜,以保护由水分和/或氧等而引起劣化的元件等。

并且,作为具有高阻气性的阻气膜,已知作为阻气层而形成了氮化硅、氧化硅及氧化铝等无机层的阻气膜。

例如,在专利文献1中记载有如下阻气膜,其具备具有由有机材料构成的表面的基板及形成于基板上的以氮化硅作为主成分的无机层(无机膜),无机层的N/Si的组成比为1~1.35、膜密度为2.1~2.4g/cm2、厚度为10~60nm,在基板与无机层的界面具有含有源自基板(有机材料)的成分及源自无机层的成分的厚度为5~40nm的混合层。

并且,在专利文献2中记载有如下阻气膜,其具有基材膜及无机层,无机层含有Si、N、H及O,在厚度方向的中心,Si与N与H与O的比例均匀,并且,具有5nm以上的由下述式表示的O比率为10%以下的均匀区域,进而,与无机层的至少一个界面接触的区域中,O比率从均匀区域侧朝向界面方向增加,每单位厚度的O比率的变化量为2~8%/nm的含氧区域。

O比率[%]=(O的数量/Si、N及O的总数)×100

以往技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2013-203050号公报

专利文献2:日本特开2015-182274号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

如专利文献1及2所示,具有无机层作为阻气层的阻气膜比具有由树脂等构成的有机层作为阻气层的阻气膜显现非常高的阻气性。

在此,从阻气膜的耐弯曲性及透明性的观点考虑,无机层的厚度薄为有利。并且,从生产率的观点考虑,无机层薄也有利。

然而,根据本发明人的研究,若将无机层薄膜化,则有时无法获得充分的阻气性,而且,导致产生诸如阻气膜的耐高温高湿性不足的问题。

本发明的目的在于解决这种问题点,并提供一种耐弯曲性、透明性及生产率等优异,而且具有充分的阻气性及耐高温高湿性的阻气膜。

用于解决技术课题的手段

本发明根据以下构成来解决问题。

[1]一种阻气膜,具有至少1组含有氮化硅且厚度为2~15nm的无机层和含有无机层的成分及成为无机层的形成面的层的成分且厚度为2~25nm的混合层的组合,无机层的N/Si原子比为0.7~0.97。

[2]根据[1]所述的阻气膜,其中,

混合层的N/Si原子比为0.2~0.85。

[3]根据[1]或[2]所述的阻气膜,其中,

混合层的N/Si原子比低于无机层的N/Si原子比。

[4]根据[3]所述的阻气膜,其中,

混合层的N/Si原子比与无机层的N/Si原子比之差为0.05~0.5。

[5]根据[1]~[4]中任一项所述的阻气膜,其具有1组以上无机层和成为无机层的基底的有机层的组合,无机层与有机层之间存在混合层。

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