[发明专利]具有共同的晶片级集成光学装置的VCSEL阵列

权利要求书

1.一种VCSEL阵列(100)，所述VCSEL阵列(100)包括布置在共同的半导体基体(101)上的两个、三个、四个或更多个VCSEL(130)，其中，VCSEL阵列(100)还包括在晶片级集成的一个共同的光学结构(140)，其中，共同的光学结构(140)被布置为能够将激光(10)转换为转换后的激光(150)，使得能够在参考平面中提供连续的照明图案(20)，其中，共同的光学结构(140)被布置为与能够在没有共同的光学结构(140)的情况下提供的未转换的照明图案相比，能够增大在参考平面中的照明图案(20)的尺寸，其中，共同的光学结构(140)还被布置为使得每个VCSEL(130)被布置为能够对照明图案(20)的区域(21)进行照明，其中，每个区域(21)小于照明图案(20)，其中，共同的光学结构(140)包括台阶，使得共同的光学结构(140)的具有高于半导体基体(101)不同高度的子表面彼此相邻布置，其中，共同的光学结构(140)是棱镜结构或菲涅耳结构，其中，每个VCSEL(130)与共同的光学结构(140)的子表面相关联，其中，每个VCSEL(130)间的距离与共同的光学结构(140)的相应子表面的尺寸被布置为使得每个VCSEL(130)仅对共同的光学结构(140)的相应子表面的部分进行照明而不对台阶之一进行照明，其中，VCSEL阵列(100)包括微透镜阵列(143)，其中，每个VCSEL(130)与一个微透镜相关联，其中，微透镜被布置为能够使激光(10)在穿过共同的光学结构(140)之后平行。

2.根据权利要求1所述的VCSEL阵列(100)，其中，共同的光学结构(140)是布置在VCSEL(130)的发光表面之上的连续结构。

3.根据前述权利要求中的任意一项所述的VCSEL阵列(100)，其中，每个VCSEL(130)是被布置为能够发射激光(10)穿过半导体基体(101)的底部发射器，其中，共同的光学结构设置在半导体基体(101)的与VCSEL(130)相反布置的表面上。

4.根据权利要求3所述的VCSEL阵列(100)，其中，共同的光学结构集成在VCSEL阵列(100)的半导体结构中。

5.根据权利要求1至2中的任意一项所述的VCSEL阵列(100)，其中，每个VCSEL(130)是被布置为沿远离半导体基体(101)的方向发射激光(10)的顶部发射器，其中，共同的光学结构(140)包括设置在VCSEL阵列的半导体层结构的顶部的材料，其中，所述材料在激光(10)的波长范围内是透明的。

6.根据权利要求1所述的VCSEL阵列(100)，其中，每个VCSEL(130)是底部发射器，其中，共同的光学结构(140)蚀刻在半导体基体(101)中，其中，共同的光学结构(140)包括台阶，使得共同的光学结构(140)的具有高于半导体基体(101)不同高度的子表面彼此相邻布置，其中，每个VCSEL(130)与共同的光学结构(140)的子表面相关联，其中，每个VCSEL(130)间的距离与共同的光学结构(140)的相应子表面的尺寸被布置为使得每个VCSEL(130)仅对共同的光学结构(140)的相应子表面的部分进行照明而不对台阶之一进行照明，其中，微透镜阵列(143)集成在透明载体中，其中，所述透明载体机械地耦接到半导体基体(101)。

7.根据前述权利要求中的任意一项所述的VCSEL阵列(100)，其中，VCSEL(130)中的至少一部分VCSEL(130)被布置为能够被单独控制以发射激光(10)。

8.一种发光装置，所述发光装置包括根据前述权利要求中的任意一项的至少一个VCSEL(100)阵列和用于向VCSEL(130)提供电驱动电流的电驱动器(230)。