[发明专利]固态摄像器件和控制固态摄像器件的方法

说明书

根据本公开实施例的固态摄像器件包括第一电极、第二电极、光电转换层和电压施加器。第一电极包括彼此独立的多个电极。第二电极与电极电极相对地布置。光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。电压施加器在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者施加不同的电压。

技术领域

本公开涉及包括例如有机半导体材料的固态摄像器件和控制固态摄像器件的方法。

背景技术

近年来，诸如电荷耦接器件(CCD)和互补型金属氧化物半导体(CMOS)等固态摄像器件中的像素尺寸已减小。一些固态摄像器件设置有布置在半导体基板外部的包括有机半导体材料的光电转换膜。在这种固态摄像器件中，通常在形成于半导体基板内部的浮动扩散层(浮动扩散部；FD)中累积电荷。然而，在这种情况下，需要优良的残像(afterimage)特性。

相反，例如，专利文献1公开了一种在半导体基板内部具有垂直传输路径的固态摄像器件。垂直传输路径包括在垂直方向上堆叠的耦接器、势垒层和电荷累积层。在具有这种构造的固态摄像器件中，在光电变换器处产生的信号电荷在垂直方向上溢出，并因此减少作为残像产生原因之一的kTC噪声。由此，增强了残像特性。

引用列表

专利文献

专利文献1：未经审查的日本专利申请2011-138927

发明内容

如上所述，需要增强设置有位于半导体基板外部的包括有机半导体材料的光电转换膜的固态摄像器件的残像特性。

期望提供一种能够增强残像特性的固态摄像器件和控制该固态摄像器件的方法。

根据本公开的固态摄像器件包括第一电极、第二电极、光电转换层和电压施加器。第一电极由彼此独立的多个电极组成。第二电极与第一电极相对地布置。光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。电压施加器在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者提供不同的电压。

根据本公开实施例的控制固态摄像器件的方法包括在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者提供不同的电压。第一电极由彼此独立的多个电极组成。第二电极与第一电极相对地布置，光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。

在根据本公开实施例的控制固态摄像器件的方法中，电压施加器被设置为能够在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者提供不同的电压，第一电极由彼此独立的多个电极组成。第二电极与第一电极相对地布置，光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。以此方式，可以在电荷累积时段和电荷非累积时段期间调节第一电极和第二电极之间的电位差。

在根据实施例的固态摄像器件和根据实施例的控制固态摄像器件的方法中，电压施加器被设置为能够在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者提供不同的电压。因此，可以在电荷累积时段和电荷非累积时段期间调节第一电极和第二电极之间的电位差。以此方式，可以增强残像特性。

注意，上述效果不必是限制的，并且可以包括本文描述的任何效果。

附图说明

图1是根据本公开第一实施例的固态摄像器件的单位像素P的构造的示意性剖视图。

图2是图1所示的固态摄像器件的下部电极的构造的示意性平面图。

图3是示出图1所示的固态摄像器件的等效电路图。

图4是图1所示的固态摄像器件的下部电极和组成控制器的晶体管的定位的示意图。

图5是制造图1所示的固态摄像器件的方法的示意性剖视图。

图6是示出图5所示的步骤之后的步骤的示意性剖视图。