[发明专利]硅晶圆的清洗方法

说明书

本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。

技术领域

本发明涉及一种硅晶圆的清洗方法。

背景技术

使用单片式旋转清洗机的硅晶圆(半导体硅晶圆)的防水面处理，通常通过氢氟酸(HF、氟化氢酸)等清洗液，将氧化膜从表面形成有氧化膜的状态的半导体晶圆上去除(专利文献1、专利文献2)。

以往会以低速进行基于HF(氢氟酸)的氧化膜去除处理，边提高转速边进行淋洗处理(纯水或臭氧水)而进行再氧化处理，干燥时转移至高速旋转。图6表示以往的硅晶圆的清洗方法的流程图。首先，如图6(a)所示，用氢氟酸进行存在于硅晶圆表面的氧化膜的去除。接着，如图6(b)所示，由氢氟酸替换为纯水。接着，如图6(c)所示，进行基于臭氧水的清洗，生成氧化膜。接着，如图6(d)所示，进行干燥。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-272411号公报

专利文献2：日本特开2001-060576号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，以现有技术的条件，在淋洗处理中会产生水痕等颗粒，基于臭氧水的氧化膜生成工序中会产生晶圆表面内的氧化膜形成速度差，颗粒会附着在氧化慢且亲水化迟缓的部分而使晶圆的表面品质恶化。

具体而言，现有技术的问题点如下所述。上述以往的单片式旋转清洗机的处理工序中，基于HF的氧化膜去除工序(图6(a))后，在图6(b)的纯水处理(替换为纯水的处理)中产生了水痕。此外，由于臭氧水处理(图6(c))时为低速旋转，因此产生晶圆表面内的氧化膜形成速度差，颗粒等会附着在亲水化迟缓的位置而使晶圆品质大幅度恶化。

本发明鉴于上述问题而成，目的在于提供一种能够抑制以往的清洗方法中产生的水痕及颗粒附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，本发明提供一种硅晶圆的清洗方法，其特征在于，依次包含下列工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给该氢氟酸，且同时不对该硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。

通过这样的硅晶圆的清洗方法，能够防止水痕的产生，且能够防止利用氢氟酸去除氧化膜时所产生的颗粒等附着而去除氧化膜。

此时，优选：将所述第一转速设为100rpm以下，将所述第二转速设为200rmp以下，将所述第三转速设为500rpm以上。

通过将各转速设为这样的范围，能够更有效地抑制水痕的产生及颗粒的附着。

发明效果

通过本发明的硅晶圆的清洗方法，能够防止水痕的产生，且能够防止利用氢氟酸去除氧化膜时所产生的颗粒等附着而去除氧化膜，进而清洗硅晶圆。

附图说明

图1为表示本发明的硅晶圆的清洗方法的流程图。