[发明专利]具有声子晶体声学镜的体声波谐振器

说明书

示例集成电路封装件(300)包括体声波(BAW)谐振器(302)，该BAW谐振器包括声子晶体声学镜(PCAM)(304)。PCAM(304)包括第一区域(313)中的第一构件(306)的第一布置和第二区域(315)中的第二构件(309)的第二布置。第一布置不同于第二布置。

技术领域

本文总体上涉及体声波(BAW)谐振器，并且更具体地涉及具有声子晶体(PnC)声学镜(PCAM)的BAW谐振器。

背景技术

在BAW谐振器中，压电材料层的顶部表面和底部表面上的电极(例如，触点、金属补片等)激发压电材料中的声波。在谐振腔内生成特定频率的体声波，从而形成谐振响应。

发明内容

示例集成电路封装件包括体声波(BAW)谐振器，该体声波谐振器包括声子晶体声学镜(PCAM)。PCAM包括第一区域中的第一构件的第一布置和第二区域中的第二构件的第二布置。第一布置不同于第二布置。

附图说明

图1是示例IC封装件的侧面剖视图，该示例IC封装件包括示例BAW谐振器，该示例BAW谐振器具有根据本说明书构造的示例PCAM。

图2是可用于实现本文所述的示例PCAM的示例布置的透视图。

图3是另一示例IC封装件的侧面剖视图，该另一示例IC封装件包括示例BAW谐振器，该示例BAW谐振器具有根据本说明书构造的另一PCAM。

图4是又一示例IC封装件的侧面剖视图，该又一示例IC封装件包括示例BAW谐振器，该示例BAW谐振器具有根据本说明书构造的又一示例PCAM。

具体实施方式

附图未按比例绘制。例如，为了阐明多个层和区域，在附图中可将层的厚度放大。只要有可能，相同的附图标记将用于整个附图和所附书面描述中用来指代相同或类似的部件。如果本说明书陈述一个部件(例如，层、膜、区域或板)以任何方式定位(例如，定位、位于、设置、或形成、堆积等)于另一部件上，则这意指涉及的部件与另一部件接触，或者涉及的部件在一个或多个中间部件位于其间的情况下位于另一部件上方。同样，如果本说明书陈述一个部件与另一部件接触，则这意指没有中间部件位于这两个部件之间。另外，在本说明书中，术语诸如上、下、顶部、底部、侧面、端部、前部、背部等用于参照当前考虑或例示的取向。如果考虑不同的取向，则应该对此类术语进行相应地修改。在附图中，连接线或连接符表示各种元件之间的示例功能关系和/或物理或逻辑耦合。

电气装置(诸如现代无线通信装置)的性能很大程度上取决于系统中所使用的时钟信号的精确度和噪声水平。此类系统必然需要高频率和高品质因数(Q)谐振器。Q是反映振荡器的阻尼不足并且表征谐振器相对于其中心频率的带宽的无量纲参数。已知BAW谐振器的Q是压电材料的内在限制的10至100分之一。为改善BAW谐振器的性能，本文描述了包括声子晶体(PnC)声学镜(PCAM)的示例BAW谐振器。因为所述示例PCAM限制声学能量的传播，所以更多声学能量保留在BAW谐振器的有效区域中。保留的声学能量的增加增加了BAW谐振器的Q，并且继而增加包括BAW谐振器的系统的性能。

图1是示例IC封装件100(例如，基于半导体的装置、芯片等)的侧面剖视图，该示例IC封装件具有设置在示例IC封装件100中的示例BAW谐振器102。图1的示例IC封装件100为具有位于底部侧108上的多个触点(其示例在附图标记106处标明)的表面安装装置。然而，示例IC封装件100可为任何类型的封装件，并且可具有任何形式、(一种或多种)材料、(一个或多个)尺寸、触点数目、触点形状等。在一些示例中，IC封装件100为晶片级封装件或管芯级封装件。BAW谐振器102和/或任何其他器件可与其他电路(例如，示例IC 104)和/或无源器件等或与其自身集成等，并且可以以任何方式封装在IC封装件(例如，示例IC封装件100)中。示例IC 104包括数字逻辑电路、模拟电路、处理器核心、数字信号处理器(DSP)核心等。