[发明专利]具有声子晶体声学镜的体声波谐振器

权利要求书

1.一种集成电路封装件，所述集成电路封装件包括：

体声波谐振器即BAW谐振器，所述BAW谐振器包括声子晶体声学镜即PCAM，所述PCAM包括第一区域中的第一多个构件的第一布置和第二区域中的第二多个构件的第二布置，所述第一布置不同于所述第二布置。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述PCAM减小声学能量从所述BAW谐振器泄露。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述第一区域限制第一方向上的声学能量，并且所述第二区域限制第二方向上的声学能量，所述第二方向不同于所述第一方向。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述PCAM至少部分地限制所述BAW谐振器中的声学能量。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述第一多个构件的所述第一布置实现第一声学特性变型，并且所述第二多个构件的所述第二布置实现第二声学特性变型，所述第二声学特性变型不同于所述第一声学特性变型。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述第一布置包括所述第一多个构件的周期布置。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述第一布置包括声学反射器。

8.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述PCAM包括构件，所述构件位于包括所述BAW谐振器的电极的所述BAW谐振器的层上。

9.根据权利要求1所述的集成电路封装件，所述BAW谐振器包括：

衬底；

介电材料，所述介电材料设置在所述衬底上，所述PCAM的至少一部分实现于所述介电材料中；

第一电极，所述第一电极设置在所述介电材料上；

压电材料，所述压电材料设置在所述第一电极上；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述压电材料上与所述第一电极相对。

10.根据权利要求9所述的集成电路封装件，所述BAW谐振器还包括所述介电材料中的平坦金属构件以实现声学反射器，所述平坦金属构件位于所述第一电极下方，所述PCAM从所述平坦金属构件在所述压电材料下面侧向延伸。

11.根据权利要求9所述的集成电路封装件，其中所述PCAM在所述第一电极和所述压电材料下面延伸。

12.根据权利要求9所述的集成电路封装件，其中所述压电材料包括薄膜，所述薄膜包含氮化铝或氧化锌中的至少一者，所述介电材料包含SiO2或SiCOH中的至少一者，并且所述第一多个构件中的构件包含钨(W)、钛钨(TiW)或铜(Cu)中的至少一者。

13.一种体声波谐振器即BAW谐振器，所述BAW谐振器包括：

介电材料；

多区域声子晶体声学镜即多区域PnC声学镜，所述多区域PnC声学镜实现于所述介电材料中，以减少声学能量从所述BAW泄露；

第一电极，所述第一电极设置在所述PnC声学镜上方的所述介电材料上；

压电材料，所述压电材料设置在所述第一电极上；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述压电材料上与所述第一电极相对。

14.根据权利要求13所述的BAW谐振器，其中所述PnC的第一区域包括第一多个构件的第一布置，并且所述PnC的第二区域包括第一第二构件的第二布置，所述第一布置不同于所述第二布置。

15.根据权利要求13所述的BAW谐振器，其中所述PnC声学镜的第一区域包括布拉格反射器、声学反射器或介电镜中的至少一者。