[发明专利]氮含量高的氮化硅膜有效
| 申请号： | 201880044202.2 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110832109B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 阿达西·巴苏;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C07D251/00 | 分类号： | C07D251/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含量 氮化 | ||
1. 一种沉积SiN膜的方法，包括：
将基板暴露于硅氮前驱物及NH3等离子体，以沉积可流动SiN聚合物；及
将所述可流动SiN聚合物固化，以形成固化SiN膜；
其中所述硅氮前驱物基本上由以下化合物组成：
，其中R1-R5独立地为H或C1-C4烷基，并且
其中所述固化SiN膜具有大于或等于0.7的氮原子对硅原子的比例。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述硅氮前驱物中的至少一个R基团是甲基基团。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述硅氮前驱物包括下述一或多种：
4.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是使用远程等离子体源而生成。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述可流动SiN聚合物是通过暴露于所述等离子体中的数个自由基而固化。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括后沉积处理，所述后沉积处理包括UV辐射暴露或退火。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述固化SiN膜具有大于或等于1.0的氮原子对硅原子的比例。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述固化SiN膜具有范围为1.0至1.5的氮原子对硅原子的比例。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板维持在小于或等于65°C的温度。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述基板维持在范围为-100°C至65°C的温度。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述固化SiN膜含有5 at%或更少的碳原子。
12.一种沉积SiN膜的方法，包括：
将维持在低于或等于25°C的基板暴露于硅氮前驱物及NH3等离子体，以沉积可流动SiN聚合物；及
将所述可流动SiN聚合物固化，以形成固化SiN膜；
其中所述固化SiN膜中氮对硅原子的比例大于1.0，且所述硅氮前驱物基本上由以下化合物组成：
，其中R1-R5独立地为H或CH3，条件为R1至R5中的至少一个为甲基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880044202.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
