[发明专利]X射线源和制造X射线源的方法

权利要求书

1.一种用于生成X射线(11)的X射线源(10)，所述X射线源(10)包括：

发射器装置(12)，其用于生成电子或者用于生成X射线；

至少一个馈通部(38)，其用于向所述发射器装置(12)供应电力；以及

绝缘体(20)，其被配置用于将所述至少一个馈通部(38)的电位与地电位隔离；

其中，所述至少一个馈通部(38)至少部分地延伸穿过所述绝缘体(20)；

其中，所述绝缘体(20)的至少部分与所述发射器装置(12)的至少部分热接触；

其中，所述绝缘体(20)包括至少一个冷却通道(28)，所述至少一个冷却通道被完全形成在所述绝缘体(20)的内部体积(25)中并被配置为消散来自所述发射器装置(12)的热量；

其中，所述绝缘体(20)的外表面(26)与所述冷却通道(28)之间的距离(29)至少等于所述冷却通道(20)的厚度(27)的一半；

其中，所述冷却通道(28)沿着所述绝缘体(20)的周缘方向(40)至少部分地包围所述馈通部(38)；并且

其中，所述绝缘体(20)的所述外表面(26)与所述冷却通道(28)之间的所述距离(29)沿着所述周缘方向(40)是恒定的。

2.根据权利要求1所述的X射线源(10)，

其中，所述外表面(26)与所述冷却通道(28)之间的所述距离(29)是所述外表面(26)与所述冷却通道(28)之间的最小距离(29)，所述最小距离是平行于所述外表面(26)的表面法向量(42)而测量的，并且

其中，所述冷却通道(28)的所述厚度(27)是平行于所述外表面(26)的所述表面法向量(42)而测量的。

3.根据权利要求1或2中的任一项所述的X射线源(10)，

其中，所述冷却通道(28)的横截面是圆形的；并且/或者

其中，所述冷却通道(28)的所述厚度(27)是所述冷却通道(28)的直径(27)。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(10)，

其中，所述冷却通道(28)与所述绝缘体的所述外表面(26)之间的所述距离(29)沿着所述冷却通道的纵向延伸方向是恒定的。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(10)，

其中，所述冷却通道(28)被配置为引导冷却剂(44)，使得来自所述发射器装置(12)的热量经由所述冷却液(44)基于对流冷却而被消散；并且/或者

其中，所述冷却通道(28)包括流体冷却剂(44)。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(10)，还包括：

入口(46)，其与所述冷却通道(28)流体耦合并被配置为向所述冷却通道(28)供应冷却剂(44)；以及/或者

出口(48)，其与所述冷却通道(28)流体耦合并被配置用于从所述冷却通道(28)泄除冷却剂(44)。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(10)，

其中，所述绝缘体(20)的至少部分是通过烧结、胶合和/或三维打印来制造的。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(10)，

其中，所述绝缘体(20)是各向同性材料的单个均匀块；并且/或者

其中，所述绝缘体(20)包括陶瓷材料和/或氧化铝。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(10)，

其中，所述绝缘体(20)包括面向所述发射器装置(12)的第一侧(22)和与所述第一侧(22)相对的第二侧(24)；

其中，所述绝缘体(20)包括在所述第一侧(22)处的第一陶瓷材料和在所述第二侧(24)处的第二陶瓷材料；并且

其中，所述第一材料和所述第二材料在化学组成、密度和导电性中的至少一个方面彼此不同。