[发明专利]脱水方法、脱水装置以及膜结构体

权利要求书

1.一种脱水方法，其使用AFX结构的沸石膜，从含有水的混合物中选择性地分离出水，

所述脱水方法的特征在于，包括：

向所述AFX结构的沸石膜的供给侧空间供给所述混合物的工序、及

使所述AFX结构的沸石膜的所述供给侧空间和透过侧空间产生压力差的工序，

在对所述沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图案中，（110）晶面的峰强度为（004）晶面的峰强度的0.4倍～2倍，

所述沸石膜的表面粗糙度Ra为5μm以下。

2.根据权利要求1所述的脱水方法，其特征在于，

AFX结构的沸石膜至少含有Si、Al以及O。

3.根据权利要求1或2所述的脱水方法，其特征在于，

AFX结构的沸石膜形成在多孔质支撑体上。

4.一种脱水装置，其特征在于，

包括分离用容器和变压装置，

其中，所述分离用容器具有：多孔质支撑体、形成在所述多孔质支撑体上的AFX结构的沸石膜、以及被区划为所述AFX结构的沸石膜的供给侧空间和透过侧空间的收纳部，

所述变压装置对所述供给侧空间进行加压，和／或，对所述透过侧空间进行减压，

在对所述沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图案中，（110）晶面的峰强度为（004）晶面的峰强度的0.4倍～2倍，

所述沸石膜的表面粗糙度Ra为5μm以下。

5.根据权利要求4所述的脱水装置，其特征在于，

AFX结构的沸石膜至少含有Si、Al以及O。

6.根据权利要求4或5所述的脱水装置，其特征在于，

AFX结构的沸石膜至少包含AFX结构的沸石。

7.一种膜结构体，其特征在于，

具备：支撑体、以及形成在所述支撑体上的AFX结构的沸石膜，

在对所述沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图案中，（110）晶面的峰强度为（004）晶面的峰强度的0.4倍～2倍，

所述沸石膜的表面粗糙度Ra为5μm以下。

8.根据权利要求7所述的膜结构体，其特征在于，

所述沸石膜至少含有Si、Al以及O。

9.根据权利要求8所述的膜结构体，其特征在于，

所述沸石膜表面的Si的物质量比例大于所述沸石膜内部的Si的物质量比例。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的膜结构体，其特征在于，

所述沸石膜实质上不含P。

11.根据权利要求7所述的膜结构体，其特征在于，

所述沸石膜的50℃下的水透过通量为1kg／（m²•h）以上。