[发明专利]使用无悬臂扫描探针光刻来制作微型/纳米级条形码

权利要求书

1.一种无悬臂扫描探针光刻(CF-SPL)技术，包括：

使用光刻和CF-SPL平台来制造至少一个包含图案的信息，同时控制特征密度和组成，其中，所述至少一个包含图案的信息包括微型特征和/或纳米级特征。

2.根据权利要求1所述的技术，其中，所述光刻是聚合物笔光刻(PPL)、光束笔光刻(BPL)、或由所述CF-SPL平台使用的任何其它技术。

3.根据权利要求2所述的技术，其中，所述PPL执行直接接触分子印刷。

4.根据权利要求2所述的技术，其中，将光线引入系统以利用所述光线执行无限制衍射的图案化，并且操作与近场光刻和远场光刻结合以执行光束笔光刻(BPL)，以便制造所述至少一个包含图案的信息。

5.根据权利要求4所述的技术，其中，通过将数字微镜装置集成至光源与BPL阵列之间的光线路径，所述BPL以独立的方式定址平行的尖端阵列的多个独立的尖端，所述BPL阵列用于将所述光线导向至底层基板表面。

6.根据权利要求5所述的技术，其中，所述至少一个包含图案的信息为多个包含由所述技术制造的图案的独特信息之一，其中所述技术并行地制造所述多个包含图案的独特信息。

7.根据权利要求2所述的技术，其中，所述阵列的每个尖端同时图案化，并且在BPL的情况下，所述阵列的每个尖端独立于多个尖端中的其它尖端而图案化。

8.根据权利要求1所述的技术，其中，所述至少一个包含图案的信息包括分子或材料的光学可见的、磁性的独特布置，或能够由机器读取器解释的热读数。

9.根据权利要求8所述的技术，其中，所述至少一个包含图案的信息为条形码、RFID、集成电路或分子的其它布置，所述分子的其它布置能够编码待由读取器解释的信息。

10.根据权利要求9所述的技术，其中，所述读取器为光学读取器、磁读取器、或热读取器。

11.根据权利要求9所述的技术，其中，所述条形码是多维的。

12.根据权利要求1所述的技术，其中，所述至少一个包含图案的信息是四维的，所述信息包括指定X轴和Y轴空间布置、特征尺寸、特征颜色/特征密度的能力。

13.根据权利要求2所述的技术，其中，所述技术以无掩膜的方式执行PPL，使得能够瞬时地改变图案设计。

14.根据权利要求2所述的技术，其中，以并行方式执行所述至少一个包含图案的信息的PPL制造，以便执行包含图案的相同信息的同时图案化，或者执行许多尖端的独立致动，所述尖端沉积或限定包含图案的独特信息。

15.根据权利要求14所述的技术，其中，所述PPL制造是利用与底层基板相互作用的吸附物来执行的。

16.根据权利要求2所述的技术，其中所述PPL的制造使用粘附、蚀刻或修改所述基板表面的吸附物以限定任何种类的条形码。

17.一种利用无悬臂扫描探针光刻(CF-SPL)技术的光刻仪器，其中，光刻和CF-SPL平台用于制造至少一个包含图案的信息，同时控制特征密度和组成，并且所述至少一个包含图案的信息包括微型特征和/或纳米级特征。

18.根据权利要求17所述的光刻仪器，其中，所述光刻是聚合物笔光刻(PPL)、光束笔光刻(BPL)或由所述CF-SPL平台使用的任何其它技术。