[发明专利]用于微光刻的投射曝光方法与投射曝光装置

权利要求书

1.一种在投射曝光装置的操作控制系统的控制下以掩模的图案的至少一个像来曝光辐射敏感基板的投射曝光方法，包含以下步骤：

将该掩模保持在该投射曝光装置的照明系统与投射镜头之间，使得该图案配置在该投射镜头的物面的区域中；

保持该基板使得该基板的辐射敏感表面配置在该投射镜头的像面的区域中，该像面与该物面光学共轭；

以由该照明系统所提供的照明辐射照明该掩模的照明区域；

在该投射镜头的协助下将位于该照明区域中的图案的部分投射至在该基板上的像场上，其中促使该像场中的图像产生的投射辐射的所有射线形成投射光束路径；

通过致动操纵器来影响该投射辐射的波前，该操纵器具有配置在该投射光束路径中的操纵器表面和用以可逆地改变该操纵器表面的光学效果的致动装置；

其中该操作控制系统基于控制程序决定该致动装置的操纵值变化，其中该控制程序具有优化目标函数的校正算法，

其特征在于：

用于至少一个操纵器的目标函数包含远心敏感度，其中该远心敏感度描述在该操纵器处的定义的操纵值变化与因此可实现的对该像场中的该投射辐射的远心度的影响之间的关系。

2.如权利要求1所述的投射曝光方法，其特征在于决定至少一个操纵器的Z1敏感度，其中该Z1敏感度描述在该操纵器处的定义的操纵值变化与因此所实现的对Zernike系数Z1的场分布或其数学上等同的变量的影响之间的关系。

3.如权利要求1或2所述的投射曝光方法，其特征在于用于改变该远心度的操纵器的远心敏感度储存于该操作控制系统的内存(SP)中，其中在考虑该远心敏感度的情况下对该投射曝光装置的操作进行控制。

4.如权利要求3所述的投射曝光方法，其特征在于在考虑到该远心敏感度的情况下，操纵器的操纵值变化被限制在低于操纵值极限值的量值。

5.如权利要求1或2所述的投射曝光方法，其特征在于在该目标函数的优化期间计算与物体表面共轭的OPL表面，该OPL表面由位于与共轭物点相距恒定光学路径长度(OPL)的光学距离处的整体像点所定义。

6.如权利要求5所述的投射曝光方法，其特征在于针对该OPL表面的决定，计算该投射辐射的波前在该像场上的恒定位移的分布。

7.如权利要求1或2所述的投射曝光方法，其特征在于在该投射曝光装置的操作期间结合到该投射曝光装置中的投射镜头的远心控制，包含以下步骤：

决定在开始时间时的远心度的起始值；

使用该操纵器的操纵值变化与分配的远心敏感度的数值，计算由该操纵器的调整所引起的远心度变化；以及

从该起始值以及在该开始时间与决定时间之间所影响的远心度变化来决定该决定时间的远心度值。

8.如权利要求7所述的投射曝光方法，其特征在于通过在启动时或重新调整后测量远心度来决定该起始值。

9.如权利要求1或2所述的投射曝光方法，其特征在于通过致动至少一个专用远心度操纵器来改变该投射镜头的远心度。