[发明专利]磁传感器有效

专利信息
申请号: 201880033982.0 申请日: 2018-05-21
公开(公告)号: CN110709720B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 林承彬 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/09
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器
【说明书】:

本发明减少具备传感器基板和外部磁性体的磁传感器中的泄漏磁通。本发明的磁传感器,其具备:具有形成有磁敏元件(R1、R2)的元件形成面(20a)、侧面(21、22)和背面(23)的传感器基板(20);设置于磁敏元件(R1)和磁敏元件(R2)之间的第一外部磁性体(30);以及具有覆盖侧面(21、22)的第一和第二部分(41、42)的第二外部磁性体(40),第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出。根据本发明,由于第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出,因此第一外部磁性体(30)和第二外部磁性体(40)之间的泄漏磁通被减少。

技术领域

本发明涉及一种磁传感器,特别地,涉及一种具备形成有磁敏元件的磁传感器基板和外部磁性体的磁传感器。

背景技术

使用了磁敏元件的磁传感器被广泛用于电流计或磁编码器等。如专利文献1中所述,存在磁传感器设置有用于将磁通收集于磁敏元件的外部磁性体的情况。例如,记载有:专利文献1的图8中所记载的磁传感器具有:覆盖传感器芯片的元件形成面的中央部的磁性体21;覆盖传感器芯片的左侧面的磁性体22;以及覆盖传感器芯片的右侧面的磁性体23,通过分别在磁性体21和22之间以及在磁性体21和23之间配置磁敏元件来将磁通分配至磁敏元件的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第5500785号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

然而,专利文献1中记载的磁传感器由于磁性体21和22之间的间隙或磁性体21和23之间的间隙大,因此磁通的泄漏大,其结果是,存在无法得到充分的检测灵敏度的问题。

因此,本发明的目的在于,通过减少具备了传感器基板和外部磁性体的磁传感器中的泄漏磁通来提高检测灵敏度。

用于解决技术问题的技术手段

根据本发明的磁传感器,其特征在于,具备:传感器基板,其具有:形成有包含第一和第二磁敏元件的多个磁敏元件的元件形成面;位于所述元件形成面的相反侧的背面;以及与所述元件形成面和所述背面大致正交,并且互相位于相反侧的第一和第二侧面;第一外部磁性体,其在所述元件形成面上,被设置于所述第一磁敏元件与所述第二磁敏元件之间;以及第二外部磁性体,其具有覆盖所述第一侧面的第一部分和覆盖所述第二侧面的第二部分,所述第一磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第一部分之间,所述第二磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第二部分之间,所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分超过所述元件形成面并突出。

根据本发明,由于第二外部磁性体的第一部分和第二部分超过元件形成面并突出,因此第一外部磁性体和第二外部磁性体之间的磁通的泄漏被减少。由此,由于磁通由磁敏元件集中,因此能够提高磁场的检测灵敏度。

在本发明中,所述第一和第二部分的从所述元件形成面的突出量优选为沿所述元件形成面的所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分的距离以下。由此,由于绕过第一外部磁性体和第二外部磁性体之间的磁通减少,因此能够进一步提高检测灵敏度。

在本发明中,所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分优选为具有从所述元件形成面侧朝向所述背面侧而厚度增大的锥形形状。由此,与不具有锥形形状的情况相比,集磁效果能够被提高。

在本发明中,所述第二外部磁性体优选为进一步具有覆盖所述背面的第三部分。由此,能够进一步降低磁阻。

在本发明中,所述第二外部磁性体的所述第一部分和所述第二部分可以是不同的构件,所述传感器基板的所述背面可以不被所述第二外部磁性体覆盖而露出。由此,可以使第二外部磁性体小型化。

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