[发明专利]具有抗光晕保护的辐射传感器

权利要求书

1.一种辐射传感器，其包括形成在半导体衬底(101)内和半导体衬底(101)上的多个像素(600)，每个像素包括通过绝热臂(105a，105b)悬挂在所述半导体衬底(101)上方的微板(103)，所述微板(103)按从所述半导体衬底(101)的上表面开始的顺序包括：

导电层(601)，其适于将入射电磁辐射转换为热能；

无源光学挡板，其包括覆盖所述导电层(601)的表面之一的热敏层(605)，所述热敏层(605)热耦合到所述导电层(601)并且具有针对待检测的辐射的随着其温度而增大的反射系数；以及

热阻器(603)，其覆盖所述热敏层(605)的与所述导电层(601)相对的表面，其中所述热阻器由电阻率随着温度而变化的被称为温度计材料的材料来实现。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述导电层(601)与所述热敏层(605)之间的距离小于20nm。

3.根据权利要求1或2所述的传感器，其中所述导电层(601)与所述热敏层(605)接触。

4.根据权利要求1或2所述的传感器，其中所述热敏层(605)的厚度包括在20与60nm之间。

5.根据权利要求1或2所述的传感器，其中所述导电层(601)被隔离沟槽(705)分成不连续的第一部分(601-a)和第二部分(601-b)。

6.根据权利要求5所述的传感器，其中所述第一部分(601-a)的表面积大于所述第二部分(601-b)的表面积。

7.根据权利要求1或2所述的传感器，其中所述热敏层(605)由相变材料制成。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中所述热敏层(605)由具有对于所述待检测的辐射为透明的绝缘相和对于所述待检测的辐射为反射性的金属相的金属氧化物制成。

9.根据权利要求8所述的传感器，其中所述热敏层(605)由氧化钒或氧化钛制成。

10.根据权利要求7所述的传感器，其中所述热敏层(605)由Ag₂S或FeS制成。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的传感器，其中所述热敏层(605)具有包括在60与180℃之间的转变温度。

12.根据权利要求1或2所述的传感器，其中每个像素(600)还包括用于读取所述像素的所述热阻器(603)的值的读取电路(102)。

13.根据权利要求1或2所述的传感器，其中，在每个像素(600)中，所述导电层(601)由对于所述待检测的辐射为能吸收的材料制成。

14.根据权利要求1或2所述的传感器，其中，在每个像素(600)中，所述导电层(601)是金属层。

15.根据权利要求1或2所述的传感器，其中，在每个像素(600)中，所述导电层(601)由氮化钛制成。

16.根据权利要求1或2所述的传感器，其中，在每个像素(600)中，所述绝热臂(105a，105b)置于垂直电连接柱(107a，107b)上。

17.根据权利要求1或2所述的传感器，其中，在每个像素(600)中，所述微板(103)和所述绝热臂(105a，105b)被布置在空腔(113)中，所述空腔(113)被对于所述待检测的辐射为透明的盖(111)封闭。

18.根据权利要求17所述的传感器，其中在每个像素(600)中，所述透明的盖(111)密封地封闭所述空腔(113)，并且所述空腔(113)处在低于大气压的压力下。