[发明专利]显示装置和电子设备有效
申请号: | 201880032095.1 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN110622619B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 藤井拓磨 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H05B33/06;G09F9/30;H01L27/32;H05B33/02;H05B33/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
1.一种显示装置,包括:
有机EL层,形成在电路部上,所述电路部形成于基板上,其中,绝缘薄膜介于所述电路部和所述有机EL层之间;
阴极电极,形成在所述有机EL层上以供所有像素共用;和
接触电极,设置在有效像素区域的外围部分,并且将所述阴极电极与所述电路部电连接,其中
所述阴极电极在与所述有机EL层的薄膜形成区域的端面相比的内侧电连接至所述接触电极,其中,
所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部在边方向具有凹凸形状,并且
所述阴极电极在所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部的凹凸形状的凹部处电连接至所述接触电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
在所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部处的凹凸形状的凸部具有矩形、三角形或弧形形状。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
在所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部的凹凸形状中,凸部的间距密度是变化的。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
在所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部处的凹凸形状中,所述凸部在所述边的中央部分的间距密集,并且所述凸部在所述边的端部的间距稀疏。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述阴极电极具有电源供应端子,并且
在所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部处的凹凸形状中,在靠近所述阴极电极的所述电源供应端子的一侧,所述凸部的间距稀疏,并且在远离所述电源供应端子的一侧,所述凸部的间距密集。
6.一种包括显示装置的电子设备,所述显示装置包括:
有机EL层,形成在电路部上,所述电路部形成于基板上,其中,绝缘薄膜介于所述电路部和所述有机EL层之间;
阴极电极,形成在所述有机EL层以供所有像素共用;和
接触电极,设置在有效像素区域的外围部分,并且将所述阴极电极与所述电路部电连接,其中
所述阴极电极在与所述有机EL层的薄膜形成区域的端面相比的内侧电连接至所述接触电极,
其中,所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部在边方向具有凹凸形状,并且
所述阴极电极在所述有机EL层的所述薄膜形成区域的端部的凹凸形状的凹部处电连接至所述接触电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择