[发明专利]部件制造用具及部件制造方法在审
申请号: | 201880030718.1 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN110622295A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 林下英司 | 申请(专利权)人: | 三井化学东赛璐株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J7/20;C09J201/00;H01L21/301 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部件制造 弹性模量 部件保持 框体 吸附 加热环境 延伸状态 卡盘台 开口部 膜吸附 盘台 加热 基层 覆盖 | ||
本发明的目的是提供即使在加热环境下也能够吸附于卡盘台的部件制造用具以及部件制造方法,部件制造用具(1)具有框体(10)和覆盖开口部(10h)的保持膜(20),框体(20)具备第1框(11)和第2框(12),保持膜(20)具备基层(21)和设置在一面侧的保持层(22),且以延伸状态被第1框(11)与第2框(12)夹着而保持,基层(21)的弹性模量E’(100℃)与弹性模量E’(25℃)之比RE1(=E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。该部件制造方法具备下述工序:部件保持工序,将部件保持于部件制造用具1的保持层(22);以及吸附工序,将进行了保持的保持膜吸附固定于经加热的卡盘台的表面。
技术领域
本发明涉及部件制造用具以及部件制造方法。进一步详细而言,涉及在半导体部件制造中所利用的部件制造用具、制造半导体部件的部件制造方法、在电子部件制造中所利用的部件制造用具、以及制造电子部件的部件制造方法。
背景技术
近年来,已知在将形成电路后的晶片进行单片化后,对单片化后的半导体部件进行评价(检查),仅拾取评价合格的半导体部件,送入后续的工序这样的半导体部件的制造方法。该制造方法被例如下述专利文献1(参照权利要求1~3等)公开。由此,能够使最终制品的成品率提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平08-330372号公报
专利文献2:日本特开2013-084794号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在利用该方法时,需要经过单片化(切割)、评价、拾取这3个工序。此时,部件配置在载体(粘贴片、夹具等)上进行加工,但由于在各工序中对载体的要求特性不同,因此通过每次都更换成根据需要的载体来应对。
例如,在专利文献2中,在单片化工序中,利用了铺设有膜的环形框架(专利文献2中的“第1框体5”)(参照专利文献2的图7(A)),而之后在转移到拾取工序时,利用夹圈(专利文献2中的“第2框体7”)(参照专利文献2的图8(C)和(D))。通过夹圈将膜拉伸,扩大膜上的部件彼此的间隙,从而能够确保拾取性。进一步,通过利用夹圈,能够仅将粘贴有部件的必要区域从环形框架割断而利用。
然而,在专利文献2中,并未具体公开能够进行这样的操作的膜。此外,在专利文献2中,并未设想评价工序。一般而言,评价工序包括加温环境下的动作确认、使用了热压力负荷的加速评价等利用了热附加的评价。因此,对于载体,除了要求在单片化和拾取中所需要的机械强度和柔软性以外,还要求耐热性、耐热后的机械强度和柔软性,但关于这些点,没有任何研究。
在专利文献1中公开了在评价工序中能够利用的载体。即,是如下技术:通过利用预先进行了热收缩的膜作为载体,来获得在之后的工序中的延伸余地,从而能够消除因热膨胀差引起的评价用电极焊盘111与凸块103的错位(参照专利文献1[图15])。这样,可知由热的影响引起的膜的收缩/延伸会左右评价工序中的位置精度,与仅进行单片化和拾取的制造工序相比,在具备评价工序的制造工序中,需要更高水平的热对策。
然而,在专利文献1中,关于针对下述的吸附不良的应付方法没有研究。
本发明人等研究了各种材料,为了选择能够平衡更多要求特性的载体材料而反复进行了试验。结果认识到,如果为了获得拾取性而选择柔软至能够在部件彼此形成间隙的程度的材料作为膜,则发生不能将载体固定于卡盘台的不良状况。即,如果要将载体吸附固定于经加热的卡盘台,则有时膜产生褶皱,并从褶皱部分发生气密性泄漏(airtightleakage),发生不能将载体正常吸附于卡盘台的不良状况。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造