[发明专利]磁传感器

说明书

一种磁传感器，抑制各磁阻元件的检测位置以及检测时刻的偏移，并以高精度并且以高空间分辨率进行测定。磁传感器100在与第一磁阻元件1以及第二磁阻元件2的平面正交的方向上排列有多个磁阻元件单元10，该磁阻元件单元10中以第一方向为检测轴的平面型的第一磁阻元件1与以和第一方向不同的第二方向为检测轴的平面型的第二磁阻元件2对置配置，与测定样品6对置的面是与磁阻元件单元10的排列方向平行的面103。

技术领域

本发明涉及磁传感器。

背景技术

作为非破坏地测定有导电性的结构物或者生物体内部的功能的技术，已知有测定通过在内部流过的电流产生的微小磁场的强度分布的方法。这样的测定方法使用能够检测微小磁场的磁传感器，例如能够使用利用了线圈的磁传感器、对磁性体进行薄膜形成的磁传感器(磁阻元件)等。

这里，在使用上述磁阻元件测定三维(X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向)的磁场强度的情况下，一般而言对于各测定轴需要磁阻元件。另外，虽然也能够根据其它的两个轴的磁场强度计算三轴中一轴的磁场强度，但至少需要检测两轴的磁场强度的磁阻元件。不得不以在物理性分离的状态配置这些检测不同的轴方向的磁场强度的磁阻元件，并基于各磁阻元件的检测结果获取特定的坐标上的三维的磁场强度(例如，参照专利文献1)。

然而，测定样品越小，相对而言各磁阻元件彼此的位置的不同越明显，所以有它们的位置偏移，即检测位置的偏移成为问题的情况。对于这样的问题，例如，能够列举通过使用移动工作台等使各磁阻元件依次移动到同一位置进行测定，来修正磁阻元件彼此的位置偏移的方法(例如，参照专利文献2)。

并且，在使用上述磁阻元件对测定样品的磁场分布进行测定的情况下，例如，需要在平板状的基板上分别与基板平行地排列多个磁阻元件，并在较宽的区域检测磁场强度(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2017－26312号公报

专利文献2：日本专利第5626678号公报

然而，根据上述以往的技术，由于在使磁阻元件移动的同时进行测定所以到测定完成为止花费时间，并且由于不能够检测同一时刻的各成分的磁场强度所以不能够获取高精度的磁场信息。

另外，根据上述以往的技术，虽然在基板上平行地排列有多个磁阻元件，但由于磁阻元件在其面方向具有一定的面积，所以基板的每单位面积的磁阻元件的配置数量有限，不能够以较高的空间分辨率获取磁场信息。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够抑制各磁阻元件的检测位置以及检测时刻的偏移，以高精度并且以高空间分辨率进行测定的磁传感器。

为了解决以上的课题，技术方案1所述的发明是磁传感器，

在与第一磁阻元件以及第二磁阻元件的平面正交的方向上排列多个磁阻元件单元，在上述磁阻元件单元中，以第一方向为检测轴的平面型的上述第一磁阻元件与以和上述第一方向不同的第二方向为检测轴的平面型的上述第二磁阻元件对置配置，

与测定样品对置的面是与上述磁阻元件单元的排列方向平行的面。

技术方案2所述的发明是在技术方案1所述的磁传感器中，

在上述第一磁阻元件与上述第二磁阻元件之间设置有绝缘层。

技术方案3所述的发明是在技术方案1或者2所述的磁传感器中，

在上述排列方向上相邻的上述磁阻元件单元彼此相互接触。

技术方案4所述的发明是在技术方案1～3中任意一项所述的磁传感器中，

构成上述磁阻元件单元的基板的一部分、和构成相邻的上述磁阻元件单元的基板的一部分在与上述排列方向正交的方向上重合配置。