[发明专利]发光二极管(LED)测试设备和制造方法

权利要求书

1.一种用于观察来自发光装置结构的发光的设备，所述发光装置结构设置在支撑衬底上，所述支撑衬底具有能够从表面接近的第一接触层和包括在所述发光装置结构上的第二接触层，所述发光装置结构选自垂直发光装置结构或横向发光装置结构，所述设备包括：

场板装置，所述场板装置具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述第二面包括导电层和上覆的介电层，所述介电层位于紧邻所述发光装置结构的第一接触层的至少一部分；

电压源，用于产生电压，所述电压源能够生成时变电压波形，所述电压源具有第一端子和第二端子，所述第一端子具有耦接到所述场板装置的所述导电层的第一电位，所述第二端子处于第二电位，所述电压源能够向所述发光装置结构注入电容耦合电流，以使所述发光装置结构的至少一部分以一模式发射电磁辐射；以及

检测器装置，耦接到所述发光装置结构，以形成源自所述发光装置结构的以所述模式的所述电磁辐射的图像。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二端子电耦接到所述支撑衬底的背面，所述第二电位处于接地电位或相对于接地电位处于负电位或正电位以产生所述时变电压波形。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一端子电连接到所述场板装置的所述导电层，并且处于接地电位或相对于所述接地电位处于负电位或正电位以产生所述第一电位。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，包括所述介电层的所述场板装置的所述第二面位于所述第一接触层的部分上并与所述部分接触。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，包括所述介电层的所述场板装置的所述第二面被定位为紧邻所述第一接触层的所述部分，以在所述第二面和所述第一接触层的所述部分之间形成空间间隙。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述横向发光装置结构包括所述第一接触层和所述第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层在所述横向发光装置结构的至少一个面上能够被电接触。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述图像源自发光二极管结构的发射表面的光输出，所述发光二极管结构的发射表面的光输出是由施加电容耦合的时变电压波形产生的。

8.根据权利要求3所述的设备，其中，所述导电层被图形化，并且包括在所述第一接触层附近的第一部分和在所述第二接触层附近的第二部分，所述第一部分与所述第二部分在电分离和物理上分离，所述第一部分连接到所述电压源的所述第一端子，并且所述第二部分连接到另一电压源或接地电位。

9.根据权利要求3所述的设备，其中，所述导电层包括在所述第一接触层附近的第一部分并且在所述第二接触层附近不存在导电层。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述垂直发光装置结构包括所述第一接触层和位于所述发光装置结构下方的所述第二接触层。

11.根据权利要求1所述的设备，还包括耦接到所述检测器装置以用于聚焦设置在所述检测器装置上的电磁辐射的透镜。

12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述检测器装置包括对所述电磁辐射成像以根据所述支撑衬底的所述发光装置结构上方的位置产生所述电磁辐射的能观察的模式图。

13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述检测器装置包括相机；并且所述设备还包括使用电触点或使用电容耦合耦接到所述发光装置结构的所述第二接触层的电接入。

14.根据权利要求1所述的设备，其中，所述时变电压波形是从第一电压电位到第二电压电位的电压斜升，以在测量阶段期间以选定的电流密度正向偏置所述发光装置结构。