[发明专利]铸块的切断方法有效
申请号: | 201880019227.7 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN110447089B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 上林佳一 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B27/06;B24B55/02;B28D5/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切断 方法 | ||
1.一种铸块的切断方法,所述方法通过线锯进行,所述线锯以螺旋状卷绕于多个导线器间的于轴向移动的钢线而形成钢线列,将由工件输送机构保持的铸块切入进给至所述钢线列,向所述铸块与所述钢线的接触部供给浆料并将所述铸块切断为多个晶圆,其特征在于,
预先确认通过切断前一次的铸块所得的晶圆的钢线移动方向的翘曲的朝向;
接着,为了使工件输送方向的翘曲的朝向与经确认的所述钢线移动方向的翘曲的朝向一致,利用所述线锯所具备的温度调节功能控制流经保持所述工件输送机构的线锯壳体部内部的冷却水的温度、流经多个所述导线器内的冷却水的温度以及所述浆料的温度的任一个以上,来控制从所述铸块切出的多个晶圆的工件输送方向的翘曲的朝向及绝对量,进行所述铸块的切断,从而得到钢线移动方向的翘曲的朝向与工件输送方向的翘曲的朝向相同的晶圆。
2.根据权利要求1所述的铸块的切断方法,其特征在于,
通过控制从所述铸块切出的多个晶圆的工件输送方向的翘曲的朝向及绝对量,而将从所述铸块切出的所有晶圆的工件输送方向的翘曲设置为无关于所述铸块内的位置均为相同的朝向。
3.根据权利要求2所述的铸块的切断方法,其特征在于,
为了使从所述铸块切出的所有晶圆的工件输送方向的翘曲无关于所述铸块内的位置而为相同的朝向,控制流经所述线锯壳体部内部的冷却水的温度、流经所述多个导线器内的冷却水的温度以及所述浆料的温度的各温度,而使所述铸块的切断开始时及切断结束时的温度与所述铸块的中央部的切断时的温度之间的温度差比所述铸块的切断开始时及切断结束时的温度的4%大。
4.根据权利要求3所述的铸块的切断方法,其特征在于,
通过控制流经所述线锯壳体部内部的冷却水的温度,而使所述铸块的中央部的切断时的温度比所述铸块的切断开始时及切断结束时的温度的4%高,
并控制流经所述导线器内的冷却水的温度及所述浆料的温度,而使所述铸块的中央部的切断时的温度比所述铸块的切断开始时及切断结束时的温度的4%低,
使得从所述铸块切出的所有晶圆的工件输送方向的翘曲为凸状。
5.根据权利要求3所述的铸块的切断方法,其特征在于,
通过控制流经所述线锯壳体部内部的冷却水的温度,而使所述铸块的中央部的切断时的温度比所述铸块的切断开始时及切断结束时的温度的4%低,
并控制流经所述导线器内的冷却水的温度及所述浆料的温度,而使所述铸块的中央部的切断时的温度比所述铸块的切断开始时及切断结束时的温度的4%高,
使得从所述铸块切出的所有晶圆的工件输送方向的翘曲为凹状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造