[发明专利]半导体保护用粘合带和处理半导体的方法在审
| 申请号： | 201880018486.8 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110446765A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 利根川亨;增泽健二 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/38 | 分类号： | C09J7/38;C09J201/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体保护 粘合带 粘合剂层 半导体器件 导电层 半导体 半导体制造工艺 可见光透射率 表面电阻率 抗静电性能 电路图案 高温处理 电路面 粘合 贴附 加热 | ||
1.一种半导体保护用粘合带，其特征在于，其具有粘合剂层和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，
所述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×104Ω/□以上且9.9×1013Ω/□以下，并且从所述导电层侧所测得的可见光透射率为30％以上。
2.根据权利要求1所述的半导体保护用粘合带，其中，导电层包含金属、合金或金属化合物。
3.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带，其中，导电层的厚度为2nm以上且300nm以下。
4.根据权利要求1、2或3所述的半导体保护用粘合带，其中，导电层层叠于粘合剂层的一个面的整面，或者导电层形成均匀的图案形状而局部地层叠于粘合剂层的一个面。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体保护用粘合带，其中，在导电层的与粘合剂层相反侧的面层叠有基材。
6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的半导体保护用粘合带，其220℃时的热分解量为10重量％以下。
7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的半导体保护用粘合带，其用于半导体的制造，所述半导体的制造包括：在半导体的电路面贴附粘合带的工序、以及对半导体进行180℃以上的高温处理的工序。
8.一种处理半导体的方法，其特征在于，其包括：在半导体的电路面贴附半导体保护用粘合带的工序、以及对半导体进行180℃以上的高温处理的工序，其中，
所述半导体保护用粘合带具有粘合剂层和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，所述半导体保护用粘合带的所述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×104Ω/□以上且9.9×1013Ω/□以下，并且从所述导电层侧所测得的可见光透射率为30％以上。
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