[发明专利]蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法

说明书

一种蒸镀掩模，其将设置有金属掩模开口部的金属掩模、和在与上述金属掩模开口部重合的位置设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模层叠而成，从上述金属掩模开口部露出的上述树脂掩模的表面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下。

技术领域

本发明的实施方式涉及蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法。

背景技术

使用了蒸镀掩模的蒸镀图案的形成通常通过使设置有与蒸镀制作的图案对应的开口部的蒸镀掩模、和蒸镀对象物密合，使从蒸镀源放出的蒸镀材料通过开口部并附着于蒸镀对象物而进行。

作为用于上述蒸镀图案的形成的蒸镀掩模，已知有例如将具有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模、具有金属掩模开口部(有时也称为缝隙)的金属掩模层叠而成的蒸镀掩模(例如，专利文献1)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5288072号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的实施方式以提供可形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模等为主要课题。

解决问题的方法

本发明的第1实施方式的蒸镀掩模将设置有金属掩模开口部的金属掩模、和在与上述金属掩模开口部重合的位置设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模层叠而成，从上述金属掩模开口部露出的上述树脂掩模的表面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下。

对于上述第1实施方式的蒸镀掩模而言，从上述金属掩模开口部露出的上述树脂掩模的表面的最大高度(Sz)可以进一步为2.5μm以下。

另外，本发明的第1实施方式的蒸镀掩模准备体用于得到蒸镀掩模，该蒸镀掩模将设置有金属掩模开口部的金属掩模、和在与上述金属掩模开口部重合的位置设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模层叠而成，该蒸镀掩模准备体包含设置有金属掩模开口部的金属掩模、和层叠于上述金属掩模的树脂层，从上述金属掩模开口部露出的上述树脂层的表面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下。

对于上述第1实施方式的蒸镀掩模准备体而言，从上述金属掩模的开口部露出的上述树脂层的表面的最大高度(Sz)可以进一步为2.5μm以下。

另外，本发明的第2实施方式的蒸镀掩模将设置有金属掩模开口部的金属掩模、和在与上述金属掩模开口部重合的位置设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模层叠而成，上述树脂掩模的不与上述金属掩模接触的一侧的表面的算术平均高度(Sa)为0.5μm以下。

对于上述第2实施方式的蒸镀掩模而言，上述树脂掩模的不与上述金属掩模接触的一侧的表面的最大高度(Sz)可以进一步为2.0μm以下。

另外，本发明的第2实施方式的蒸镀掩模准备体用于得到蒸镀掩模，该蒸镀掩模将设置有金属掩模开口部的金属掩模、和在与上述金属掩模开口部重合的位置设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模层叠而成，该蒸镀掩模准备体包含设置有金属掩模开口部的金属掩模、和层叠于上述金属掩模的树脂层，上述树脂层的不与上述金属掩模接触的一侧的表面的算术平均高度(Sa)为0.5μm以下。

对于上述第2实施方式的蒸镀掩模准备体而言，上述树脂层的不与上述金属掩模接触的一侧的表面的最大高度(Sz)可以进一步为2.0μm以下。

本发明的第3实施方式的蒸镀掩模包含设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模，上述树脂掩模的一面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下。

对于上述第3实施方式的蒸镀掩模而言，上述树脂掩模的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下的面上可以层叠有金属层。