[发明专利]蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880015841.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110382731B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 曾根康子;川崎博司;广部吉纪;小幡胜也;成田亚沙子;居城均;初田千秋 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蒸镀掩模 带框体 准备 图案 形成 方法 有机半导体 元件 制造 | ||
1.一种蒸镀掩模，其将设置有金属掩模开口部的金属掩模、和在与所述金属掩模开口部重合的位置设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模层叠而成，
从所述金属掩模开口部露出的所述树脂掩模的表面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下，
所述树脂掩模的与所述金属掩模侧面相反侧的表面的算术平均高度(Sa)为0.5μm以下。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，从所述金属掩模开口部露出的所述树脂掩模的表面的最大高度(Sz)进一步为2.5μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其中，所述树脂掩模的与所述金属掩模侧相反侧的表面的最大高度(Sz)进一步为2.0μm以下。
4.一种蒸镀掩模准备体，其用于得到蒸镀掩模，该蒸镀掩模将设置有金属掩模开口部的金属掩模、和在与所述金属掩模开口部重合的位置设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模层叠而成，该蒸镀掩模准备体包含：
设置有金属掩模开口部的金属掩模、和
层叠于所述金属掩模的树脂层，
从所述金属掩模开口部露出的所述树脂层的表面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下，
所述树脂层的与所述金属掩模侧面相反侧的表面的算术平均高度(Sa)为0.5μm以下。
5.根据权利要求4所述的蒸镀掩模准备体，其中，从所述金属掩模的开口部露出的所述树脂层的表面的最大高度(Sz)进一步为2.5μm以下。
6.根据权利要求4或5所述的蒸镀掩模准备体，其中，所述树脂层的与所述金属掩模侧面相反侧的表面的最大高度(Sz)进一步为2.0μm以下。
7.一种蒸镀掩模，其包括设置有与蒸镀制作的图案对应的树脂掩模开口部的树脂掩模，
所述树脂掩模的一面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下，
所述树脂掩模的另一面的算术平均高度(Sa)为0.5μm以下。
8.根据权利要求7所述的蒸镀掩模，其中，所述树脂掩模的一面上层叠有金属层。
9.一种带框体的蒸镀掩模，其包含框体、和固定于所述框体的蒸镀掩模，
所述蒸镀掩模为权利要求1、4及7中任一项所述的蒸镀掩模。
10.一种蒸镀图案形成方法，其利用蒸镀法，且使用所述权利要求1、4及7中任一项所述的蒸镀掩模。
11.一种有机半导体元件的形成方法，其是有机半导体元件的制造方法，且使用所述权利要求1、4及7中任一项所述的蒸镀掩模。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社，未经大日本印刷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880015841.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
