[发明专利]弹性波装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，具备：

材料层，具有欧拉角且所述欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；

压电体，具有相互对置的第1主面以及第2主面，直接或间接地层叠于所述材料层以使得所述第2主面处于所述材料层侧，具有欧拉角且所述欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；和

IDT电极，设置在所述压电体的所述第1主面以及所述第2主面之中的至少一方，由电极指间距规定的波长为λ，

所述压电体的C₅₆与所述材料层的C₅₆之积为正的值，并且，

所述材料层的C₅₆的绝对值大于所述压电体的C₅₆的绝对值，

[数学式1]

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述式(1)中的弹性常数c_ab由(c_ab)＝[α]^-1[c_ab⁰][β]来导出，

另外，α以及β如下，

[数学式2]

此外，α以及β中的l₁～l₃、m₁～m₃以及n₁～n₃如下，

n₁＝sinψsinθ

n₂＝cosψsinθ

n₃＝cosθ。

3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

由所述IDT电极激励的高阶模式的至少一部分在所述材料层和所述压电体双方中传播。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述材料层是体波的声速与在所述压电体中传播的弹性波的声速相比成为高速的高声速材料。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述压电体的厚度为10λ以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述材料层的C₅₆的绝对值为8.4GPa以上。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述材料层的C₅₆的绝对值为28GPa以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述材料层由单晶构成。

9.根据权利要求8所述的弹性波装置，其中，

构成所述材料层的所述单晶由压电体以外的单晶构成。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述压电体的厚度为3.5λ以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的弹性波装置，其中，

还具备：低声速膜，设置在所述材料层与所述压电体之间，所传播的体波的声速与在所述压电体中传播的弹性波的声速相比为低速。

12.根据权利要求11所述的弹性波装置，其中，

所述低声速膜为氧化硅膜。

13.根据权利要求12所述的弹性波装置，其中，

所述低声速膜的厚度为2λ以下。

14.根据权利要求8或9所述的弹性波装置，其中，

构成所述材料层的所述单晶由硅构成。