[发明专利]具有改进的频率性能的测试头

权利要求书

1.一种测试头(10)，适于校验集成在半导体晶片上的待测试器件(16)的功能性，所述测试头(10)包括：

至少一个导引件(14，13，24)，所述至少一个导引件(14，13，24)设置有多个容纳导引孔(14A，13A，24A)；以及

容纳在所述多个容纳导引孔(14A，13A，24A)中的至少第一组垂直接触探针(20A)和第二组垂直接触探针(20B)，所述垂直接触探针(20A，20B)中的每个接触探针都包括在第一端部(12A)和第二端部(12B)之间延伸的主体(12C)，所述至少一个导引件(14，13，24)至少包括导电部分(22，23，24)，

所述测试头(10)特征在于：

所述导电部分(22，23，24)包括至少一组所述容纳导引孔(14A，13A，24A)，所述导电部分(22，23，24)电连接所述第一组垂直接触探针(20A)，所述第一组垂直接触探针(20A)在形成于所述导电部分中的所述容纳导引孔(14A，13A，24A)中滑动并且适于传送相同信号，以及

所述第二组垂直接触探针(20B)中的每一个具有由涂层(21)覆盖的主体(12C)，所述涂层(21)由绝缘材料制成，以将所述第二组垂直接触探针(20B)与所述导电部分(22，23，24)绝缘。

2.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述导电部分(22，23，24)能够连接至公共信号基准(Vcom)，所述公共信号基准(Vcom)选自接地基准、功率基准或操作信号基准。

3.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述导电部分(22，23)对应于所述导引件(14，13)的一个面(Fa，Fb)。

4.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述导电部分(22)包括正交部分(22w)，所述正交部分(22w)至少部分地在所述容纳导引孔(14A)内延伸。

5.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述导电部分(22，23)完全覆盖所述导引件(14，13)。

6.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述导电部分(24)由完全导电导引件(24)制成。

7.根据权利要求6所述的测试头(10)，其特征在于，所述完全导电导引件(24)从上导引件(13)、下导引件(14)或所述测试头(10)的另一导引件中选出。

8.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述涂层(21)为薄膜的形式，其中该薄膜的厚度小于2μm。

9.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述涂层(21)为薄膜的形式，其中该薄膜的厚度小于0.2μm。

10.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述涂层(21)由选自聚合物绝缘材料或有机绝缘材料的绝缘材料实现。

11.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述涂层(21)由选自氮化物、铝氧化物或氧化铝或DLC(金刚石轻碳)的高硬度绝缘材料制成。

12.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述第二组垂直接触探针(20B)的所述主体(12C)被所述涂层(21)完全覆盖，所述涂层(21)沿所述第二组垂直接触探针(20B)除了所述端部(12A，12B)之外的整个接触探针延伸。

13.根据权利要求1所述的测试头(10)，其特征在于，所述第二组垂直接触探针(20B)的所述主体(12C)中只有区段(12D)被所述涂层(21)完全覆盖，所述区段(12D)是在所述测试头(10)工作期间容纳在所述导引件(14,13)的相应容纳导引孔(14A，13A)中的部分。