[发明专利]通过图案形成装置上的有限厚度的结构确定辐射的散射的方法

说明书

一种方法，包括：获得设计布局的一部分的特性；确定包括或构成所述部分的图案形成装置的M3D的特性；通过使用计算机，使用包括样本的训练数据训练神经网络，所述样本的特征向量包括所述部分的特性并且所述样本的监督信号包括M3D的特性。还公开了一种方法，包括：获得设计布局的一部分的特性；获得使用包括或构成所述部分的图案形成装置的光刻过程的特性；确定所述光刻过程的结果的特性；通过使用计算机，使用包括样本的训练数据训练神经网络，所述样本的特征向量包括所述部分的特性和所述光刻过程的特性，并且所述样本的监督信号包括所述结果的特性。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2017年2月22日提交的题为“Methods of DeterminingScattering of Radiation by Structures of Finite Thicknesses on a PatterningDevice”的美国临时申请No.62/462,337的优先权，所述临时申请的公开内容通过引用其全部内容的方式并入本文。

技术领域

本文中的描述总体上涉及确定由于用于光刻过程和光刻投影设备的图案形成装置上的有限厚度引起的辐射的散射的方法。

背景技术

例如，光刻投影设备可以被用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供对应于IC的单个层的图案(“设计布局”)，并且该图案可以被转印到已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯的目标部分)上，例如通过诸如经由所述图案形成装置上的图案辐射所述目标部分的方法。通常，单个衬底包括多个相邻目标部分，所述图案被光刻投影设备连续地、以一次一个目标部分的方式转印至多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案被一次性转印到一个目标部分上；这样的设备通常称作为步进机。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时与所述参考方向平行或反向平行地同步移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常光刻投影设备将具有缩小比例M(例如，4)，所以衬底被移动的速率F将是投影束扫描图案形成装置的速率的1/M倍。关于本文描述的光刻装置的更多信息可以从例如US 6,046,792中收集到，所述文献通过引用并入本文中。

在将图案从图案形成装置转印到衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转印的图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些过程都旨在最终完成器件的单个层。如果器件需要多个层，则针对每一层重复全部工序或其变形。最终，器件将存在于衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或切割等技术，使这些器件彼此分离，据此单个的器件可以被安装在载体上，连接至引脚等。

因此，制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制作过程处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成所述器件的各种特征和多个层。这些层和特征典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，之后将它们分离成单个的器件。这种器件制造过程可被认为是图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置的图案化步骤，诸如光学和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转印到衬底上，而且图案化过程典型地但可选地涉及一个或更多个有关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、使用蚀刻设备由该图案进行蚀刻等。

如所提及的，光刻术是器件(诸如IC)制造中的核心步骤，其中，形成于衬底上的图案限定器件的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其它器件。