[发明专利]太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能发电系统在审
| 申请号： | 201880003443.2 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN109819679A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 保西祐弥;芝崎聪一郎;山崎六月;吉尾纱良;中川直之;山本和重 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 光吸收层 多结太阳能电池 太阳能电池模块 第二电极 第一电极 太阳能发电系统 光伏发电系统 硫化物 | ||
1.一种太阳能电池，包括：
第一电极；
光吸收层；
n型层；以及
第二电极，
其中，
所述光吸收层在所述第一电极和所述n型层之间，
所述n型层在所述光吸收层和所述第二电极之间，
所述光吸收层包含Cu2O，并且
所述n型层包含硫化物。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述n型层为包含选自由包含Zn和In的硫化物化合物、包含Cd和Zn的硫化物化合物和包含In和Ga的硫化物化合物组成的组的一种或多种硫化物的层。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其中
所述n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
所述n型层满足x为0.0≦x≦0.6，y为0.3≦y≦0.7，并且z为0.2≦z≦1.0。
4.根据权利要求1至3中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中
所述n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
所述n型层满足x为0.0≦x≦0.3，y为0.4≦y≦0.6，并且z为0.5≦z≦1.0。
5.根据权利要求1至4中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中所述光吸收层的导带最小值的位置与所述n型层的导带最小值的位置之间的差值为不小于-0.2eV且不大于0.6eV。
6.一种多结太阳能电池，包括：
根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池；以及
具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的多结太阳能电池，其中所述具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池的光吸收层为化合物半导体或晶体硅。
8.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池。
9.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池和具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
10.一种太阳能发电系统，所述太阳能发电系统通过使用根据权利要求8或9所述的太阳能电池模块执行太阳能发电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880003443.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
