[实用新型]一种集成光学相控阵芯片

权利要求书

1.一种集成光学相控阵芯片，其特征在于：包括设置于相控波导阵列(1)一侧的平板区(2)，所述相控波导阵列(1)的光束输出至所述平板区(2)；所述平板区(2)包括层叠设置的衬底层(3)、芯层(4)和包层(5)，相对于所述相控波导阵列(1)的另一端设置有角度扩展结构；所述角度扩展结构为可改变入射光线传播路径的光学结构。

2.根据权利要求1所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述角度扩展结构为凹透镜(6)或凸透镜。

3.根据权利要求2所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述角度扩展结构为在所述包层(5)和所述芯层(4)远离所述相控波导阵列(1)的端部成型的曲面结构。

4.根据权利要求1所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述角度扩展结构为反射镜(7)。

5.根据权利要求4所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述角度扩展结构包括所述包层(5)和所述芯层(4)远离所述相控波导阵列(1)的端部刻蚀的斜面和沉积于所述斜面的高反射率金属。

6.根据权利要求1所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述角度扩展结构为光栅结构(8)。

7.根据权利要求6所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述光栅结构(8)为刻蚀于所述芯层(4)上刻蚀的周期性结构。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述衬底层(3)为平板结构；所述芯层(4)由透光材质制成的平板结构；所述包层(5)为由透光材质制成的平板结构，设于所述衬底层(3)与所述芯层(4)之间，所述包层(5)的折射率小于所述芯层(4)的折射率。

9.根据权利要求8所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述衬底层(3)和所述芯层(4)为单晶硅，所述包层(5)为二氧化硅。

10.根据权利要求1中所述的集成光学相控阵芯片，其特征在于，所述平板区(2)在所述光束传播方向的长度为0.1-6mm。