[实用新型]一种高纯正硅酸乙酯中微量水分的检测系统

说明书

本实用新型提供了一种高纯正硅酸乙酯中微量水分的检测系统，包括：永久性气体通入管路；高纯正硅酸乙酯汽化室；所述永久性气体通入管路与高纯正硅酸乙酯汽化室相连通；反应室；所述反应室与高纯正硅酸乙酯汽化室相连通；所述反应室内设置有钠钾合金；氢气检测装置；所述氢气检测装置与反应室相连通。与现有技术相比，本实用新型利用蒸汽态的水分与钠钾合金发生反应产生氢气，且氢气不与其他物质反应，可精确得到氢气的含量，检测设备稳定，极大地提高了检测的可靠性，进而提高了高纯正硅酸乙酯中水分测量的准确性与精准度。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高纯正硅酸乙酯中微量水分的检测系统。

背景技术

半导体工艺形成氧化层的方法主要有热氧化(针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料)、低压化学气相淀积(LPCVD)、等离子增强化学气相淀积(PECVD)和常压化学气相淀积(APCVD)等，其中由于APCVD要求的气流量大，且工艺产生颗粒相对较多，目前大多数半导体工艺已很少使用。

正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD时，TEOS从液态蒸发成气态，在700～750℃、300mTOR压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min，薄膜的厚度均匀性小于3％，这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积，可在一定程度上弥补SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用，既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力，又提高了器件的电性能和成品率，同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后，SiC芯片的直流成品率得到提高，微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升，功率增益比原工艺提高了1.5dB左右，功率附加效率提升了近10％。

但由于高纯正硅酸乙酯材料本身的功能性要求，对其中杂质要求十分苛刻，尤其是对水分的要求需要小于5×10^-6(质量比，转换为摩尔比为58×10^-6)以下，如何准确测试出水分含量是本产品核心品质要求。