[实用新型]一种超宽带功率放大器装置

说明书

本实用新型公开了一种超宽带功率放大器装置，包括下行链路和上行链路，所述下行链路依次包括预推动级、推动级和末级，所述预推动级的放大管为小微波放大管，所述推动级和末级的放大管为LDMOS管；所述上行链路依次包括开关、低噪放管和微波放大管，所述上行链路的输入端通过所述开关与所述下行链路的输出端连接。本实用新型采用宽带LDMOS技术方案来实现通常选用GAN技术才能设计的超宽带功率放大器，具有成本低、尺寸小、无需高压和负压电路、初始线性好等技术优势。提升整机系统的市场产品竞争力。

技术领域

本实用新型涉及移动通信系统中射频技术领域，特别是一种超宽带功率放大器装置，主要应用于无线移动通信领域的基站及其辅助无限覆盖系统、公共安全通信系统以及屏蔽等系统。

背景技术

随着全球无线通信领域高速发展，4G和5G通信技术应运而生，无线移动通信领域的基站及其辅助无限覆盖系统、公共安全通信系统以及屏蔽系统等通信相应的技术解决方案也是复杂多样。从成本、节能环保、小型化等维度考虑，超宽带多频一体化是一种比较好的技术方案。该方案的数字信源可采用超宽带信源或多路窄带信源合路形式，也可采用多路信源开关切换形式来实现；而射频功率放大器链路需要选用超宽带来实现，一款功放模块通用多个通信频段。例如：我国TD_LTE的D/E/F三个频段横跨达800MHz的带宽。而一般的LDMOS管的频带带宽难以设计，因此，超宽带功率放大器仍然是该技术解决方案的难以突破的瓶颈。而目前设计超宽带功率放大器采用的是GAN管技术，GAN技术的优势就在于其宽禁带比LDMOS管技术宽3倍以上。但是，GAN管技术也有其成本高、高压和负压供电、初始线性差(非线性失真)等劣势。本实用新型仍然采用LDMOS管技术设计来实现一种超宽带功率放大器装置。与GAN管技术相比，具有成本低、尺寸小、无需高压和负压电路、初始线性等技术优势。

发明内容

本实用新型上述问题，提供一种超宽带功率放大器装置。本实用新型的技术方案为：

一种超宽带功率放大器装置，包括下行链路和上行链路，所述下行链路依次包括预推动级、推动级和末级，所述预推动级的放大管为小微波放大管，所述推动级和末级的放大管为LDMOS管；所述上行链路依次包括开关、低噪放管和微波放大管，所述上行链路的输入端通过所述开关与所述下行链路的输出端连接。

作为本实用新型进一步地说明，所述下行链路和上行链路上还设有用于改善放大管性能指标的隔离单元。

更进一步地，所述预推动级中的隔离单元为电阻衰减网络，所述推动级和末级中的隔离单元为超宽带环形器或隔离器。

更进一步地，所述开关为射频开关。

更进一步地，所述上行链路输入端设有上行LNA输入接口。

更进一步地，所述下行链路包括温补衰减器，所述温补衰减器设在所述预推动级前端。

更进一步地，所述下行链路和上行链路设有可以接入窄带滤波器或宽带滤波器的滤波器接口。

更进一步地，所述滤波器接口数量为1-4个。

本实用新型有益效果：

1、超宽带LDMOS管的选型及超宽带匹配技术实现855MHz的匹配带宽，增益平坦度小于2.5dB。

2、射频链路的关键器件(宽带环形器、微波放大管等)选型及设计技术。

3、LDMOS降低增益、拓宽频带带宽，实现相对带宽855MHz/2227.5MHz＝38.38％，属于超宽带放大器。

4、兼容多种新型应用场景：可支持TDD-LTE D/E/F三个频段中的两个频段同时工作；可兼容FDD_LTE制式；通过预留滤波器1～4可以灵活切换应用的功能。