[实用新型]一种适合Micro-Tec印刷的MWT太阳能电池掩膜

说明书

本实用新型公开了一种适合Micro‑Tec印刷的MWT太阳能电池掩膜，属于硅太阳能电池工艺技术领域，能够满足Micro‑Tec印刷机的定位要求。本实用新型将图1传统掩膜圈尺寸一致的掩膜圈设计为四个顶点掩膜圈和其余区域掩膜圈尺寸不一致的图形，四个顶点掩膜圈作为定位点，维持掩膜圈大于MWT电池的负极点以满足Micro‑Tec印刷机的定位要求，其余区域掩膜圈尺寸降低，小于MWT电池的负极点，达到降低了掩膜浆料的用量，降低了刻蚀工序去除掩膜浆料所需的化学品用量，节约了整个制程成本。

技术领域

本发明属于硅太阳能电池工艺技术领域，尤其涉及一种适合Micro-Tec印刷的MWT太阳能电池掩膜。

背景技术

金属穿孔卷绕硅太阳能电池（MWT）因其效率高，遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面，以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。专利CN201410016190.6提供了一种MWT的低成本制备方法，该方法在传统晶硅电池的制作流程上仅增加两道工序，即：在制绒工序前增加一道激光打孔工序和在扩散后或镀膜后增加一道孔洞处绝缘的工序。由于该方法工艺简单，增加设备少，成为目前业内MWT电池生产唯一量产的工艺。

局部接触背钝化（PERC）太阳能电池是最近两年新开发出来的一种高效太阳能电池技术，其核心是在硅片的背光面用氧化铝或氧化硅薄膜覆盖，起到钝化表面提高长波响应，从而提高电池的转换效率，由于提效显著且简单易行，得到了业内的广泛关注和认可。

由于MWT电池制程与常规电池制程除激光打孔和绝缘隔离两方面的要求外再无其他差异，使得MWT电池可以兼容黑硅、PERC、HIT、IBC等技术。其中，专利CN201410016190.6同时提供了一种MWT结合PERC技术的制备流程。专利CN201510612566.4提供了一种背钝化膜制备工艺解决MWT孔洞漏电问题。目前黑硅+MWT、MWT+PERC技术已实现量产。

目前Micro-Tec印刷机采用上曝光的定位方式，且PERC电池由于背镀膜存在绕镀问题，硅片背面边缘的颜色存在色差，由此Micro-Tec印刷机采用边缘对准时，容易因边缘的对比度差异导致印刷偏移。Micro-Tec印刷机制备MWT+PERC电池时，为解决此偏移问题，采用定位掩膜圈的方式进行定位，此方案避免了设计并投资昂贵的下曝光台面，但要求掩膜圈大于MWT电池的负极点，否则负极点覆盖掩膜区后无法进行定位，又限制了小掩膜圈技术路线的推广。

发明内容

本发明提供了一种适合Micro-Tec印刷的MWT太阳能电池掩膜，能够满足Micro-Tec印刷机的定位要求。

为实现以上目的，本发明采用以下技术方案：

一种适合Micro-Tec印刷的MWT太阳能电池掩膜，包括不同尺寸的掩膜圈，四个顶点的掩膜圈和其余区域的掩膜圈尺寸不同，所述四个顶点的掩膜圈作为定位点，所述四个顶点的掩膜圈大于所述MWT电池的负极点。

以上所述掩膜中，所述四个顶点的掩膜圈尺寸为0.5mm-5mm；所述其余区域掩膜圈尺寸小于MWT电池的负极点，所述其余区域掩膜圈尺寸0.1mm-3mm。

有益效果：本发明提供了一种适合Micro-Tec印刷的MWT太阳能电池掩膜，将图1传统掩膜圈尺寸一致的掩膜圈设计为四个顶点掩膜圈和其余区域掩膜圈尺寸不一致的图形，四个顶点掩膜圈作为定位点，维持掩膜圈大于MWT电池的负极点以满足Micro-Tec印刷机的定位要求，其余区域掩膜圈尺寸降低，小于MWT电池的负极点，达到降低了掩膜浆料的用量，降低了刻蚀工序去除掩膜浆料所需的化学品用量，节约了整个制程成本。

附图说明

图1为常规MWT掩膜图形；

图2为本发明的掩膜圈尺寸示意图，图中1为四个顶点的掩膜圈，2为其余区域的掩膜圈。