[实用新型]一种便携式智慧型MOSFET参数测量装置有效
申请号: | 201822236718.7 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209894913U | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 林晓东 | 申请(专利权)人: | 晶科华兴集成电路(深圳)有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防尘板 固定杆 固定块 连接孔 参数测量装置 智慧型 卡块 安装连接杆 本实用新型 参数测量 活动套接 内部固定 防尘 防尘性 限位块 堆积 配合 | ||
本实用新型涉及参数测量技术领域,且公开了一种便携式智慧型MOSFET参数测量装置,包括第一面板,所述第一面板正面的底部固定安装有固定块,且固定块的底部固定连接有固定杆,所述固定杆的外表面活动套接有防尘板,且防尘板的另一侧固定安装有限位片,所述第一面板正面的底部固定安装有卡块,所述第一面板的一侧固定连接有第二面板,所述第二面板正面的顶部开设有U型槽,且U型槽的内部固定安装连接杆。该便携式智慧型MOSFET参数测量装置,通过固定块、固定杆、防尘板、限位块和卡块之间的相互配合,便于更好的对第一面板正面的连接孔进行防尘,从而解决了不使用时灰尘容易进入连接孔的内部进行堆积,进而影响最终的测量结果,提高了连接孔的防尘性。
技术领域
本实用新型涉及参数测量技术领域,具体为一种便携式智慧型MOSFET参数测量装置。
背景技术
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,MOSFET在使用的过程中出现故障需要使用测量装置对其进行参数的检测,从而判断MOSFET的什么地方出现了问题,现如今的参数测量装置在不使用的时候容易使得较多的灰尘堆积在连接孔的内部,使得参数测量装置在测量的过程中容易出现偏差,进而导致无法准确的找出故障的问题,同时在对MOSFET的各项参数进行测量后多将测量线缠绕在装置的外表面,在到处携带的过错中容易出现测量线掉落的问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对上述背景技术提出的不足,本实用新型提供了一种便携式智慧型 MOSFET参数测量装置,解决了上述背景技术提出的问题。
(二)技术方案
本实用新型提供如下技术方案:一种便携式智慧型MOSFET参数测量装置,包括第一面板,所述第一面板正面的底部固定安装有固定块,且固定块的底部固定连接有固定杆,所述固定杆的外表面活动套接有防尘板,且防尘板的另一侧固定安装有限位片,所述第一面板正面的底部固定安装有卡块,所述第一面板的一侧固定连接有第二面板,所述第二面板正面的顶部开设有U型槽,且U型槽的内部固定安装连接杆,且连接杆的外表面活动套接有活动套,所述活动套的底部固定安装有位于U型槽内部的U型杆,所述第二面板正面的底部固定安装有限位块,且限位块的内腔固定安装有限位杆,且限位杆外表面的顶部活动套接有L型块,所述L型块的数量为两个,且两个L型块通过位于限位杆上的弹簧传动连接,所述L型块的外表面缠绕有测量线。
优选的,所述卡块的数量为两个,且两个卡块之间的间距值与限位片的长度值相适配。
优选的,所述限位片的顶部与底部均设有摩擦垫,且卡块靠近限位片的一侧也设有摩擦垫。
优选的,所述U型杆外表面的中部设有防滑纹,且防滑纹的长度值约为八厘米。
优选的,所述U型槽的内径值与U型杆的外径值相适配。
优选的,所述L型块上的内径值与限位杆的外径值相适配。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种便携式智慧型MOSFET参数测量装置,具备以下有益效果:
1、该便携式智慧型MOSFET参数测量装置,通过固定块、固定杆、防尘板、限位块和卡块之间的相互配合,便于更好的对第一面板正面的连接孔进行防尘,从而解决了不使用时灰尘容易进入连接孔的内部进行堆积,进而影响最终的测量结果,提高了连接孔的防尘性。
2、该便携式智慧型MOSFET参数测量装置,通过限位块、限位杆、L型块和弹簧之间的相互配合,便于更好的将测量线进行存放,从而解决了测量线大多都时缠绕在第一面板与第二面板的外表面容易出现测量线缺失的现象,提高了对测量线的保护性。
附图说明
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