[实用新型]一种生产氮化铝粉体的加工装置有效
申请号: | 201822232279.2 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN210159725U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 罗章;杜俊俊;李辉 | 申请(专利权)人: | 洛阳彤润信息科技有限公司 |
主分类号: | B02C19/00 | 分类号: | B02C19/00;B02C23/00;B02C23/16;B02C25/00 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 471000 河南省洛阳市中国(河南)自由贸易试验*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生产 氮化 铝粉体 加工 装置 | ||
本实用新型涉及了一种生产氮化铝粉体的加工装置。采用的技术方案是:包括进料口Ⅰ、进料口Ⅱ、上壳体、下壳体、支撑架、电动机、第一支撑杆、第二支撑杆、研磨球、研磨槽、震动筛网、氮气罐、控制面板、温度传感器Ⅰ、温度传感器Ⅱ、单向电磁阀Ⅰ、加热层Ⅰ、加热层Ⅱ、出料口、单向电磁阀Ⅱ、压力阀、研磨箱。本实用新型一方面,通过采用研磨与氮化相结合一体化的装置制取氮化铝粉体,分别在不同壳体反应,简化加工装置,设计更加合理;另一方面,通过增加震动筛网、温度传感器控制反应过程的温度,提高产品的质量;具有结构简单、设计合理、操作方便、成本低、产品质量高等的优点。
技术领域
本实用新型属于氮化铝粉体制备装置技术领域,涉及一种生产氮化铝粉体的加工装置。
背景技术
氮化铝陶瓷是新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料;是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料,如环氧树脂中加入氮化铝粉体可以明显地提高其热导率,广泛应用于大功率模块。此外,氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温及耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品。但是获得高性能的氮化铝陶瓷,制备氮化铝粉体是关键步骤,一方面,虽然制备氮化铝粉体的方法有多种,但是转化率低,产品质量差不能满足人们的使用需求;另一方面,现有的制备氮化铝粉体装置结构复杂。
实用新型内容
鉴于现有技术中所存在的问题,本实用新型公开了一种生产氮化铝粉体的加工装置,采用的技术方案是,包括进料口Ⅰ、进料口Ⅱ、上壳体、下壳体、支撑架、电动机、第一支撑杆、第二支撑杆、研磨球、研磨槽、震动筛网、氮气罐、控制面板、温度传感器Ⅰ、温度传感器Ⅱ、单向电磁阀Ⅰ、加热层Ⅰ、加热层Ⅱ、出料口、单向电磁阀Ⅱ、压力阀、研磨箱,其中上壳体与下壳体之间通过法兰连接,研磨箱位于上壳体顶部、与上壳体通过焊接进行连接,进料口Ⅰ、进料口Ⅱ分别位于研磨箱上方的左右两侧,电动机位于研磨箱顶部,上壳体的顶部焊接研磨槽,研磨槽内部设置研磨球、底部安装震动筛网,研磨球的顶部连接第一支撑杆、第二支撑杆,电动机伸入研磨箱内部、与第二支撑杆通过转轴连接,氮气罐位于上壳体左侧、伸入上壳体内部,在氮气罐与上壳体连接处安装压力阀,上壳体侧壁为中空结构,加热层Ⅰ位于上壳体侧壁内部,温度传感器Ⅰ位于上壳体右侧内壁上,下壳体侧壁为中空结构,加热层Ⅱ位于下壳体侧壁内部,温度传感器Ⅱ位于下壳体右侧内壁上,下壳体底部设置出料口,在下壳体底部与出料口连接处安装单向电磁阀Ⅱ,上壳体与下壳体通过管道和单向电磁阀Ⅰ连通,控制面板位于上壳体外部右侧,温度传感器Ⅰ、温度传感器Ⅱ、单向电磁阀Ⅰ、加热层Ⅰ、加热层Ⅱ、单向电磁阀Ⅱ、压力阀与控制面板连接。
作为本使用新型的一种优选方案,所述加热层Ⅰ的温度范围为1600~1750℃;加热层Ⅱ的温度范围为600~700℃。
作为本使用新型的一种优选方案,所述上壳体的材质为不锈钢材料。
本实用新型的工作原理:将超细氧化铝粉和高纯度炭黑分别通过进料口Ⅰ1和进料口Ⅱ2加入密闭研磨箱22内中的研磨槽10内部,通过控制面板13启动电动机6,电动机6通过转轴并在第一支撑杆7和第二支撑杆8作用下带动研磨球9旋转,并对研磨槽10内的超细氧化铝粉和高纯度炭黑进行充分混合与研磨,研磨后的物体在振动筛网11的作用下进入上壳体3内部,并打开压力阀21将氮气罐12内的氮气加压送入上壳体3内部与研磨后的物体充分氮化,并通过控制面板13打开加热层Ⅰ17将上壳体3内部温度控制在1600~1750℃之内保温4~10h,氮化结束后,经过氮化的物体通过单向电磁阀Ⅰ16进入下壳体4内部,通过控制面板13打开加热层Ⅱ18,将下壳体4内部温度控制在600~700℃之内,保温10~16h进行脱碳处理;脱碳结束后,制备好的氮化铝粉体通过出料口19进行灌装。
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