[实用新型]一种大电流直流防反电路

说明书

本实用新型公开了一种大电流直流防反电路，属于电子电路技术领域，包括二极管D1、D2、D3、N型MOS管Q1、NPN型三极管Q2、电容C1和电容Cboot，本实用新型中采用的防反电路发热小、暗电流小且静态功耗低，适用于大电流电路。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种大电流直流防反电路。

背景技术

N型MOS管导通方式有两种：一种通过MOS管本身的体二极管导通，另一种方式是D极与S极之间形成导电沟道使得MOS管导通。通常N型MOS管高边防反电路是通过将G极和S极短接在一起，利用MOS管本身的体二极管的单向导通特性实现电路的防反接。但在应用中这种防反电路MOS管的D极与S极之间并未完全导通，存在相对较大的导通阻抗和压差，若仅仅依靠本身的体二极管导通，当电流较大时，MOS发热严重，PCB布板时需要留更多的散热面积，不利于在大电流电路的应用；此外，大电流的二极管价格贵、成本高。采用MOS的低边防反时，为满足MOS管G极的耐压，需要对G、S极之间的电压进行限压，无论是采用分压电阻还是稳压管稳压，电阻和稳压管本身都会消耗一定的暗电流。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种发热更小、静态功耗更低的大电流直流防反电路。

本实用新型所采用的技术方案是：一种大电流直流防反电路，包括二极管D1、D2、D3、N型MOS管 Q1、NPN型三极管Q2、电容C1和电容Cboot，其中N型MOS管Q1的S极与外部电源正极相连接，Q1的漏极与后级系统相连接；Q2的E极连接到MOS管Q1的S极，Q2的C极连接到MOS管Q1的G极，Q2的基极与二极管D1的阴极连接；二极管D1的阳极连接到系统地；所述电容C1的一端连接到MOS管Q1的S极，电容C1的另一端连接到MOS管Q1的G极；所述二极管D2的阳极连接到MOS管Q1的S极，二极管D2的阴极连接到D3的阳极，D3的阴极连接到MOS管Q1的G极；电容Cboot的一端连接到D2的阴极，Cboot的另一端为PWM信号输入端，PWM信号幅值0~12V，频率可调。

与现有技术相比，本实用新型中采用的防反电路相对于低边防反电路暗电流更小，有利于降低整体的静态功耗，且系统地与电源地之间的电位差更小；本实用新型电路采用常规的N型MOS管即可实现防反功能，发热更小；相比于大电流的二极管价格更便宜并易于采购。

附图说明

图1为现有技术中常用的MOS高边防反电路；

图2为现有技术中常用的MOS低边防反电路；

图3为本实用新型提供的大电流直流防反电路。

具体实施方式

下面结合附图3对本实用新型进一步说明，一种大电流直流防反电路，包括二极管D1、D2、D3、N型MOS管 Q1、NPN型三极管Q2、电容C1和电容Cboot，其中N型MOS管Q1的S极与外部电源正极相连接，Q1的漏极与后级系统相连接；三极管Q2的E极连接到MOS管Q1的S极，三极管Q2的C极连接到MOS管Q1的G极，三极管Q2的基极与二极管D1的阴极连接；二极管D1的阳极连接到系统地；所述电容C1的一端连接到MOS管Q1的S极，电容C1的另一端连接到MOS管Q1的G极；所述二极管D2的阳极连接到MOS管Q1的S极，二极管D2的阴极连接到D3的阳极，D3的阴极连接到MOS管Q1的G极；电容Cboot的一端连接到D2的阴极，Cboot的另一端为PWM信号输入端，PWM信号幅值0~12V，频率可调。