[实用新型]一种带隙基准电路版图结构

说明书

本实用新型属于芯片版图布局技术领域，具体涉及一种带隙基准电路版图结构，所述带隙基准电路版图自上而下包括上部、中部和下部三个部分；其中，所述上部包括第五版图区域，所述下部包括第六版图区域，所述中部包括位于左侧为第一版图区域，为于中间的第二版图区域，以及位于右侧且上下排列设置的第四版图区域和第三版图区域；通过精心设计，分设六个版图区域，将各模块合理排布在各版图区域内，在兼顾关联器件的摆放合理性之后，将深阱工艺器件完美地摆放在了一起，合理规划信号通路，优化版图的布局结构，减小版图的面积，降低芯片生产成本，减小了工艺过程中的可能误差，对版图的质量和性能的保证有了很好的实现。

技术领域

本实用新型属于芯片版图布局技术领域，具体涉及一种带隙基准电路版图结构。

背景技术

带隙基准(Bandgap voltage reference或BGR)，带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。

带隙基准电压具有抗噪声干扰和输出电压稳定的优点，常作为电源管理芯片，例如ADC(Analog-to-Digital Converter，模拟数字转换器)、DAC(Digital-to-AnalogConverter，数字模拟转换器)、数模混合集成电路(Hybrid IC)的内部电压源(5V/3.3V/1.8V等)，为电源管理芯片的其他模块。

如何通过合理规划信号通路，从而达到优化版图的布局结构，减小版图的面积，降低芯片生产成本，减少噪声干扰成为本领域人员的追求。

实用新型内容

针对以上问题，本实用新型旨在提供一种合理规划信号通路，优化版图的布局结构的带隙基准电路版图结构。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种带隙基准电路版图结构，所述带隙基准电路版图自上而下包括上部、中部和下部三个部分；其中，所述上部包括第五版图区域，所述下部包括第六版图区域，所述中部包括位于左侧为第一版图区域，为于中间的第二版图区域，以及位于右侧且上下排列设置的第四版图区域和第三版图区域。

进一步的，包括深阱工艺区域，所述深阱工艺区域包括第六版图区域、第三版图区域、第一版图区域和第二版图区域的下方部分。

作为一种改进，其中，所述第一版图区域为偏置电路启动和偏置信号产生模块；所述第二版图区域为运算放大器模块；所述第三版图区域为三极管阵列模块；所述第四版图区域为电阻阵列模块；所述第五版图区域为基准电流输出模块；所述第六版图区域为大面积滤波电容阵列模块。

作为更进一步的改进，第一版图区域和第二版图区域构成主要信号活动区域，所述主要信号活动区域连接到第四版图区域产生电压输出；所述第五版图区域产生基准电流输出。

作为一种改进，电源通路包括第一横向通路、第二横向通路和纵向通路，所述第一横向通路、第二横向通路和纵向通路自上而下呈F形结构。

进一步的，所述第一横向通路位于第五版图区域；所述第二横向通路位于第五版图区域与第一版图区域和第二版图区域之间的空隙中；所述纵向通路跨接于第五版图区域和第一版图区域。

作为一种改进，所述第一版图区域和第二版图区域为敏感信号区域，所述第三版图区域和第四版图区域为噪声区，所述敏感信号区域与噪声区之间具有隔离区域。

本实用新型一种带隙基准电路版图结构，通过精心设计，分设六个版图区域，将各模块合理排布在各版图区域内，通过以上设计本实用新型克服了现有技术中存在的缺陷和不足，在兼顾关联器件的摆放合理性之后，将深阱工艺器件完美地摆放在了一起，合理规划信号通路，优化版图的布局结构，减小版图的面积，降低芯片生产成本，减小了工艺过程中的可能误差，对版图的质量和性能的保证有了很好的实现。

附图说明