[实用新型]一种金属的半导体制冷片有效

专利信息
申请号: 201822194883.0 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209246454U 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 陈文斌;陈洪涛 申请(专利权)人: 江西北冰洋实业有限公司
主分类号: F25B21/02 分类号: F25B21/02
代理公司: 南昌赣专知识产权代理有限公司 36129 代理人: 王超
地址: 344100 江西省抚州市临*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 半导体制冷片 金属 本实用新型 接线 阴极 吸热能力 线路连接 阳极 保护网 导冷块 放置架 散热片 散热
【说明书】:

实用新型公开了一种金属的半导体制冷片,属于放置架技术领域,金属的半导体制冷片包括半导体制冷片、阳极接线、阴极接线、散热片、导冷块以及保护网。本实用新型公开的金属的半导体制冷片其能够提高半导体制冷片的散热以及吸热能力,同时还能提高线路连接的稳定性,提高半导体制冷片的使用效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体制冷片技术领域,特别涉及一种金属的半导体制冷片。

背景技术

半导体制冷片是由半导体所组成的一种冷却装置,于1960年左右才出现,然而其理论基础Peltiereffect可追溯到19世纪。这现象最早是在1821年,由一位德国科学家ThomasSeeback首先发现,不过他当时做了错误的推论,并没有领悟到背后真正的科学原理。到了1834年,一位法国表匠,同时也是兼职研究这现象的物理学家JeanPeltier,才发现背后真正的原因,这个现象直到近代随著半导体的发展才有了实际的应用。

半导体制冷片,也叫热电制冷片,是一种热泵。它的优点是没有滑动部件,应用在一些空间受到限制,可靠性要求高,无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高;

目前的半导体制冷片的散热以及导冷能力还有待提高。

实用新型内容

为了克服现有技术的缺陷,本实用新型所要解决的技术问题在于提出一种金属的半导体制冷片,其能够提高半导体制冷片的散热以及吸热能力,同时还能提高线路连接的稳定性,提高半导体制冷片的使用效果。

为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:

本实用新型提供了一种金属的半导体制冷片,包括半导体制冷片、阳极接线以及阴极接线,所述半导体制冷片设有阳极接口以及阴极接口,所述阳极接口与阳极接线相接,所述阴极接口与阴极接线相接,所述半导体制冷片的上表面放出热量,所述半导体制冷片的上表面为放热面,所述半导体制冷片的下表面吸收热量,所述半导体制冷片的下表面为吸热面,

所述半导体制冷片截面为长方体结构,所述放热面以及吸热面呈圆弧状向外凸起设置,所述放热面与散热面对称设置,所述放热面与散热面的弧度相同;

所述放热面上方设置散热片,所述散热片完全覆盖在放热面上方,所述放热面与散热片之间设置第一导热硅脂层,所述吸热面下方设置导冷块,所述导冷块完全覆盖在吸热面下方,所述吸热面与导冷块之间设置第二导热硅脂层;

所述阳极接线与阳极接口相接处设置第一保护环,所述第一保护环环绕设置在阳极接线靠近阳极接口的一端外侧、并与阳极接口外侧相接,所述阴极接线与阴极接口相接处设置第二保护环,所述第二保护环环绕设置在阴极接线靠近阴极接口的一端外侧、并与阴极接口外侧相接;

所述半导体制冷片外侧环绕设置保护网。

在本实用新型较佳地技术方案中,所述第一导热硅脂层厚度为1.5mm。

在本实用新型较佳地技术方案中,所述第二导热硅脂层厚度为1mm。

在本实用新型较佳地技术方案中,所述散热片与放热片相接的一面形状与放热面的形状相对应,使散热片与放热片更加贴合,提高散热效果。

在本实用新型较佳地技术方案中,所述导冷块与吸热片相接的一面形状与吸热面的形状相对应,使导冷块与吸热片更加贴合,提高吸热效果。

本实用新型的有益效果为:

本实用新型提供的金属的半导体制冷片,通过设置圆弧状的放热面以及吸热面,由于弧形的面积比一般的平面面积要大,增大了半导体制冷片的放热的面积以及吸热的面积,从而提高半导体制冷片的散热能力以及吸热能力,提高半导体制冷片的工作效率;

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