[实用新型]一种用于承载衬底基片的石墨基座有效
申请号: | 201822166937.2 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN209071308U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 李西维;黄建明;詹国彬 | 申请(专利权)人: | 上海东洋炭素有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L33/00 |
代理公司: | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人: | 丁彦峰;赵白 |
地址: | 201611 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨基座 梯形卡头 衬底基片 接驳 承载 支撑环 石墨 顶沿 伸入 本实用新型 面积增大 使用寿命 旋转稳定 一体形成 上底边 卡头 适配 破损 断裂 侧面 | ||
本实用新型实施例公开了一种用于承载衬底基片的石墨基座,所述用于承载衬底基片的石墨基座的底部设有用于正好伸入石墨支撑环的顶沿内的环形接驳部,环形接驳部与所述石墨基座一体形成,环形接驳部上设有多个梯形卡头,梯形卡头伸入石墨支撑环的顶沿上的与梯形卡头相适配的卡口内。由于梯形卡头的上底边与石墨基座的连接面积增大,卡头侧面为斜面应力小,实现了增强梯形卡头的强度的效果,在高温恶劣的环境中旋转不易破损或断裂,达到了旋转稳定,使用寿命长。
技术领域
本实用新型实施例涉及LED芯片制造技术领域,具体涉及一种用于承载衬底基片的石墨基座。
背景技术
在LED芯片制造过程中,石墨基座承载衬底基片经MOCVD工艺实现在衬底基片上生长出特定单晶薄膜,即外延片。外延片生长技术处于LED产业链中的上游环节,是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。在MOCVD工艺过程中,为了达到外延片均匀的的要求,需要石墨基座按预设的转速转动。石墨基座设置在的石墨支撑环上并同体旋转,石墨支撑环通过连接件和传动件与驱动装置连接。
现有的石墨基座设有若干长方形卡头,石墨支撑环上设有若干卡口,石墨基座和石墨支撑环通过长方形卡头插入卡口的配合进行连接和同体旋转,由于在高温恶劣的环境中旋转,常存在石墨基座的长方形卡头破损甚至断裂无法使用,造成旋转不稳定和使用寿命短的问题,从而导致外延片的不均匀和加工成本的提高。
实用新型内容
为此,本实用新型实施例提供一种用于承载衬底基片的石墨基座,以解决现有的石墨基座的长方形卡头由于耐高温性能差和强度低而导致的石墨基座旋转不稳定和使用寿命短的问题。
为了实现上述目的,本实用新型的实施方式提供如下技术方案:一种用于承载衬底基片的石墨基座,所述用于承载衬底基片的石墨基座的底部设有用于正好伸入石墨支撑环的顶沿内的环形接驳部,环形接驳部与所述石墨基座一体形成,环形接驳部上设有多个梯形卡头,梯形卡头伸入石墨支撑环的顶沿上的与梯形卡头相适配的卡口内。
作为优选的,所述多个梯形卡头间隔均匀地设置在环形接驳部上。
作为优选的,所述环形接驳部设有三个梯形卡头。
作为优选的,所述梯形卡头为等腰梯形状。
作为优选的,所述梯形卡头的上底边长16-25mm,所述梯形卡头的下底边长8-14mm。
根据本实用新型的实施方式,一种用于承载衬底基片的石墨基座具有如下优点:由于梯形卡头的上底边与石墨基座的连接面积增大,卡头侧面为斜面应力小,实现了增强梯形卡头的强度的效果,在高温恶劣的环境中旋转不易破损或断裂,达到了旋转稳定,使用寿命长的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1为本实用新型的一实施例提供的一种用于承载衬底基片的石墨基座的仰视立体结构示意图;
图2为本实用新型的一实施例提供的一种用于承载衬底基片的石墨基座的底部正视结构示意图;
图3为本实用新型的一实施例提供的一种用于承载衬底基片的石墨基座的侧视结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造