[实用新型]一种半桥拓扑电路有效

专利信息
申请号: 201822146790.0 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN209250482U 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 彭国刚;游志福;胡娟 申请(专利权)人: 深圳市爱宝莱照明技术有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/38
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 唐致明;洪铭福
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 第一开关 开关管组 半桥 管组 二极管 寄生二极管 本实用新型 半桥拓扑 电源负端 电源正端 并联 电路 并联二极管 二极管恢复 高工作频率 连接中点 时间设置 依次连接 开关管 输出端 死区 体内
【权利要求书】:

1.一种半桥拓扑电路,其特征在于,包括:第一开关管组、第二开关管组、电源正端、电源负端、第一二极管以及第二二极管,

所述电源正端、所述第一开关管组、所述第二开关管组以及所述电源负端依次连接,所述第一开关管组与所述第二开关管组的连接中点作为半桥输出端,所述第一二极管与所述第一开关管组并联,代替所述第一开关管组的寄生二极管,所述第二二极管与所述第二开关管组并联,代替所述第二开关管组的寄生二极管。

2.根据权利要求1所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第一开关管组包括第三MOS管和第四MOS管,所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极以及第一控制信号输入端连接,所述第三MOS管的漏极与电源正端连接,所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极连接,所述第四MOS管的漏极与所述第二开关管组连接。

3.根据权利要求2所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第三MOS管和所述第四MOS管均为N型MOS管。

4.根据权利要求1所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第二开关管组包括第五MOS管和第六MOS管,所述第五MOS管的栅极与所述第六MOS管的栅极以及第二控制信号输入端连接,所述第六MOS管的漏极与电源负端连接,所述第六MOS管的源极与所述第五MOS管的源极连接,所述第五MOS管的漏极与所述第一开关管组连接。

5.根据权利要求4所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第五MOS管与所述第六MOS管均为N型MOS管。

6.一种半桥拓扑电路,其特征在于,包括:第一开关管组、第二开关管组、第一MOS管、第二MOS管、电源正端、电源负端、第一二极管以及第二二极管,

所述电源正端、第一MOS管、所述第一开关管组、第二MOS管、所述第二开关管组以及所述电源负端依次连接,所述第一开关管组与所述第二MOS管的连接中点作为半桥输出端,

所述第一二极管的正端与所述第一开关管组的一端连接,所述第一二极管的负端与所述电源正端连接,代替所述第一开关管组和所述第一MOS管的寄生二极管,

所述第二二极管的正端与所述电源负端连接,所述第二二极管的负端与所述第二MOS管的漏极连接,代替所述第二开关管组和所述第二MOS管的寄生二极管,

所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极电位保持固定,使所述第一MOS管和所述第二MOS管保持导通状态。

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