[实用新型]一种半桥拓扑电路有效
申请号: | 201822146790.0 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN209250482U | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 彭国刚;游志福;胡娟 | 申请(专利权)人: | 深圳市爱宝莱照明技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/38 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明;洪铭福 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一开关 开关管组 半桥 管组 二极管 寄生二极管 本实用新型 半桥拓扑 电源负端 电源正端 并联 电路 并联二极管 二极管恢复 高工作频率 连接中点 时间设置 依次连接 开关管 输出端 死区 体内 | ||
1.一种半桥拓扑电路,其特征在于,包括:第一开关管组、第二开关管组、电源正端、电源负端、第一二极管以及第二二极管,
所述电源正端、所述第一开关管组、所述第二开关管组以及所述电源负端依次连接,所述第一开关管组与所述第二开关管组的连接中点作为半桥输出端,所述第一二极管与所述第一开关管组并联,代替所述第一开关管组的寄生二极管,所述第二二极管与所述第二开关管组并联,代替所述第二开关管组的寄生二极管。
2.根据权利要求1所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第一开关管组包括第三MOS管和第四MOS管,所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极以及第一控制信号输入端连接,所述第三MOS管的漏极与电源正端连接,所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极连接,所述第四MOS管的漏极与所述第二开关管组连接。
3.根据权利要求2所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第三MOS管和所述第四MOS管均为N型MOS管。
4.根据权利要求1所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第二开关管组包括第五MOS管和第六MOS管,所述第五MOS管的栅极与所述第六MOS管的栅极以及第二控制信号输入端连接,所述第六MOS管的漏极与电源负端连接,所述第六MOS管的源极与所述第五MOS管的源极连接,所述第五MOS管的漏极与所述第一开关管组连接。
5.根据权利要求4所述的半桥拓扑电路,其特征在于,所述第五MOS管与所述第六MOS管均为N型MOS管。
6.一种半桥拓扑电路,其特征在于,包括:第一开关管组、第二开关管组、第一MOS管、第二MOS管、电源正端、电源负端、第一二极管以及第二二极管,
所述电源正端、第一MOS管、所述第一开关管组、第二MOS管、所述第二开关管组以及所述电源负端依次连接,所述第一开关管组与所述第二MOS管的连接中点作为半桥输出端,
所述第一二极管的正端与所述第一开关管组的一端连接,所述第一二极管的负端与所述电源正端连接,代替所述第一开关管组和所述第一MOS管的寄生二极管,
所述第二二极管的正端与所述电源负端连接,所述第二二极管的负端与所述第二MOS管的漏极连接,代替所述第二开关管组和所述第二MOS管的寄生二极管,
所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极电位保持固定,使所述第一MOS管和所述第二MOS管保持导通状态。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置