[实用新型]存储器数据采集装置有效

专利信息
申请号: 201822140151.3 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN209149822U 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 路和超;彭新平;董晓伟;宋杰;虞源杰 申请(专利权)人: 杭州旗捷科技有限公司
主分类号: G11C8/06 分类号: G11C8/06;G11C8/20
代理公司: 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 代理人: 舒丁
地址: 310052 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 驱动电源模块 存储器数据 采集装置 驱动电源 存储器 控制模块 选址信号 验证数据 触点 读取 芯片 传输读取信号 本实用新型 存储器传输 读取信号 设备认证 替换 写入 存储 采集 传输 反馈
【权利要求书】:

1.一种存储器数据采集装置,其特征在于,所述装置包括:控制模块以及驱动电源模块;

所述控制模块设置有第一触点以及第二触点;所述控制模块通过所述第一触点与所述驱动电源模块的输入端连接并向所述驱动电源模块传输读取信号,通过所述第二触点与所述存储器连接并向所述存储器传输选址信号;

所述驱动电源模块的输出端与所述存储器连接,所述驱动电源模块用于根据读取信号生成驱动电源,并将驱动电源传输至所述存储器,以使所述存储器根据选址信号向驱动电源模块反馈相应地址中存储的信息。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,

所述驱动电源模块包括:第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第六电阻;

所述第一三极管的基极通过第一电阻与控制模块连接,所述第一三极管的基极与发射极之间连接有第二电阻;所述第一三极管的集电极依次通过第三电阻、第四电阻、第五电阻连接15V电压源;所述第二三极管的基极和所述第三电阻与所述第四电阻的连接点连接;所述第二三极管的发射极和所述第四电阻与第五电阻的连接点连接;所述第二三极管的集电极通过第六电阻与所述存储器连接。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,

所述第一三极管为NPN型三极管;

所述第二三极管为PNP型三极管。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,

所述驱动电源模块包括:初始电流产生电路以及镜像电流电路;

所述初始电流产生电路的输入端与所述控制模块的第一触点连接;所述初始电流产生电路的输出端与所述镜像电流电路的输入端连接,所述初始电流产生电路用于根据读取信号生成驱动电源;

所述镜像电流电路的输出端与所述存储器连接;所述镜像电流电路用于在镜像电流电路的输出侧产生相同电流值的驱动电源。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,

所述初始电流产生电路包括运算放大器、第一MOS管以及电阻;

所述运算放大器的同相输入端与所述控制模块的第一触点连接,所述运算放大器的输出端与第一MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的源级通过电阻接地,所述运算放大器的反相输入端和所述第一MOS管的源级与电阻的连接点连接,所述第一MOS管的漏极与所述镜像电流电路的输入端连接。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,

所述镜像电流电路包括第二MOS管以及第三MOS管;

所述第二MOS管的漏级与所述第一MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极连接,所述第二MOS管的漏级与所述第二MOS管的栅极连接,所述第二MOS管的源极和所述第三MOS管的源极连接15V电源,所述第三MOS管的漏极与所述存储器连接。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,

所述第一MOS管为N沟道MOS管;

所述第二MOS管和第三MOS管均为P沟道MOS管。

8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,

所述镜像电流电路接收的存储器反馈信息包括:存储器的等效电阻值与初始电流产生电路生成驱动电源的电流值的乘积。

9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,

所述初始电流产生电路中的所述电阻,用于调整生成驱动电源的电流值。

10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,

所述初始电流产生电路的输入端接入3.3V电压,且电阻为3.3KΩ时,所述驱动电源的电流值为1mA。

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