[实用新型]一种异质结太阳电池

说明书

本申请公开了一种异质结太阳电池，包括衬底层；位于衬底层第一表面的表面钝化层；位于表面钝化层背离衬底层的表面的空穴选择性接触层，且空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层；位于空穴选择性接触层背离表面钝化层的表面的第一电极；位于衬底层第二表面的本征层；位于本征层背离衬底层的表面的掺杂层；位于掺杂层背离本征层的表面的第二电极；其中，第一表面与第二表面相对。本申请中的异质结太阳电池中空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层，空穴选择性接触层的带隙宽，空穴选择性接触层吸光范围小，可以大幅减小寄生光吸收，提升太阳电池短路电流密度和光电转换效率。

技术领域

本申请涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种异质结太阳电池。

背景技术

太阳能是一种储量无限、使用免费、绿色环保的可再生能源，太阳电池能够将太阳能转换成电能，为社会提供清洁能源，因此受到世界各国的广泛重视。其中，异质结太阳电池采用非晶硅薄膜实现晶体硅表面钝化和选择性接触功能，拥有光电转换效率高、温度系数低、无电势诱导衰减和光致衰减等优点，应用潜力巨大。

在传统的异质结太阳电池中，窗口层的P型非晶硅和本征非晶硅的带隙分别为1.6～1.7eV和1.7eV，由于两者的带隙较窄，会对紫外光和可见光产生较为严重的寄生吸收，造成光学损失，影响电池短路电流密度和光电转换效率。

现有技术中用带隙为1.7～1.8eV的N型非晶硅代替P型非晶硅，来减小紫外光和可见光的寄生吸收，但是N型非晶硅和本征非晶硅的窗口层的带隙仍然较窄，只能在一定程度上减小紫外光和可见光的寄生吸收，寄生吸收较为严重的问题并没有得到解决。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种异质结太阳电池，以大幅减小异质结太阳电池窗口层的寄生光吸收，提升太阳电池短路电流密度和光电转换效率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种异质结太阳电池，包括：

衬底层；

位于所述衬底层第一表面的表面钝化层；

位于所述表面钝化层背离所述衬底层的表面的空穴选择性接触层，且所述空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层；

位于所述空穴选择性接触层背离所述表面钝化层的表面的第一电极；

位于所述衬底层第二表面的本征层；

位于所述本征层背离所述衬底层的表面的掺杂层；

位于所述掺杂层背离所述本征层的表面的第二电极；

其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

可选的，所述表面钝化层为宽带隙表面钝化层。

可选的，还包括：

位于所述宽带隙空穴选择性接触层与所述第一电极之间的第一导电层；

和位于所述掺杂层与所述第二电极之间的第二导电层。

可选的，所述宽带隙空穴选择性接触层的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值。

可选的，所述宽带隙表面钝化层的厚度取值范围为0.1nm-5nm，包括端点值。

可选的，所述第二电极为栅线电极。