[实用新型]一种基于Ku波段的频率合成器有效
申请号: | 201822087599.3 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN209057195U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 周开斌;鞠莉萍 | 申请(专利权)人: | 成都创新达微波电子有限公司 |
主分类号: | H03L7/07 | 分类号: | H03L7/07;H03L7/18 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李林合 |
地址: | 611130 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 锁相环路 本实用新型 放大器电路 晶体振荡器 频率合成器 传统频率合成器 低相位噪声 开关连接 输入端 杂散 | ||
1.一种基于Ku波段的频率合成器,其特征在于,包括晶体振荡器(1)、第一锁相环路(2)、第二锁相环路(3)、FPGA芯片(4)、放大器电路(5)以及2选1开关(6),其中,所述晶体振荡器(1)分别与第一锁相环路(2)和第二锁相环路(3)连接,所述FPGA芯片(4)分别与第一锁相环路(2)和第二锁相环路(3)连接,所述第一锁相环路(2)和所述第二锁相环路(3)分别通过放大器电路(5)与2选1开关(6)连接,所述放大器电路(5)的第一信号输入端与所述FPGA芯片(4)连接。
2.根据权利要求1所述的基于Ku波段的频率合成器,其特征在于,所述第一锁相环路(2)包括由第一锁相环芯片(7)、第一环路滤波器(8)、第一压控振荡器(9)、第一温度补偿电路(11)及第一分频器(10)依次连接形成的环路,其中,所述第一压控振荡器(9)的信号输出端分别与所述第一温度补偿电路(11)及所述放大器电路(5)的第二信号输入端连接;
所述第二锁相环路(3)包括由第二锁相环芯片(12)、第二环路滤波器(13)、第二压控振荡器(14)、第二温度补偿电路(16)及第二分频器(15)依次连接形成的环路,其中,所述第二压控振荡器(14)的信号输出端分别与所述第二温度补偿电路(16)及所述放大器电路(5)的第三信号输入端连接。
3.根据权利要求2所述的基于Ku波段的频率合成器,其特征在于,所述第一锁相环芯片(7)与所述第二锁相环芯片(12)的型号均为INS8320。
4.根据权利要求2所述的基于Ku波段的频率合成器,其特征在于,所述第一环路滤波器(8)和第二环路滤波器(13)的型号均为ME920-1000。
5.根据权利要求2所述的基于Ku波段的频率合成器,其特征在于,所述第一分频器(10)和第二分频器(15)的型号均为HER4521B。
6.根据权利要求1所述的基于Ku波段的频率合成器,其特征在于,所述FPGA芯片(4)的型号为SP3223EEA,且其分别通过CLK、CS、MISOT和MOSI四线与第一锁相环芯片(7)及第二锁相环芯片(12)连接。
7.根据权利要求2所述的基于Ku波段的频率合成器,其特征在于,所述第一压控振荡器(9)和第二压控振荡器(14)结构相同,均包括NPN型三极管T1、NPN型三极管T2和二极管T3;
所述二极管T3的正极接地,所述二极管T3的负极连接电阻R1的一端和电容C1的一端,所述电阻R1的另一端为第一压控振荡器(9)或第二压控振荡器(14)的信号输入端;
所述三极管T1的基极连接电容C1的另一端,并通过电感L1分别连接电阻R3的一端以及接地电阻R2;所述三极管T1的集电极连接接地电容C3,并通过电感L2分别连接电阻R3的另一端、接地电容C2以及电感L3的一端,电感13的另一端连接电源;所述三极管T1的发射极连接接地电阻R4以及电容C4的一端,电容C4的另一端连接接地电阻R5以及电阻R6的一端,电阻R6的另一端连接接地电阻R7以及电容C5的一端;
所述三极管T2的基极连接电容C5的另一端,并通过电感L4分别连接接地电阻R8以及电阻R9的一端;所述三极管T2的发射极接地;所述三极管T2的集电极连接电容C6的一端,并通过电感L5分别连接电阻R9的另一端、接地电容C7以及电感L6的一端,电感L6的另一端连接电源,电容C6的另一端为第一压控振荡器(9)或第二压控振荡器(14)的信号输出端。
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