[实用新型]一种适用于DC/DC电源结合浪涌抑制和EMI滤波的电路

说明书

一种适用于DC/DC电源结合浪涌抑制和EMI滤波的电路，包括浪涌抑制电路和EMI滤波电路，浪涌抑制电路包括供电电路、方波产生电路、N型MOSFET开关电路，N型MOSFET开关电路包括自举电路；供电电路用于对母线电压进行降压稳压后给运算放大器供电；方波产生电路产生方波信号提供给自举电路；N型MOSFET开关电路，通过自举电路对方波信号进行整流并增大栅源电压使N型MOSFET开启；EMI滤波电路包括共模滤波电路和差模滤波电路用于滤除DC/DC电源共模、差模噪声以及自举电路中产生的叠加N型MOSFET漏、源极噪声。本实用新型不仅能有效抑制自身噪声，直流损耗小、效率高，而且能对DC/DC电源的EMI噪声进行滤除，还可以有效减小开机浪涌电流，提高了设备供电的性能和可靠性。

技术领域

本实用新型涉及电子设备供电系统技术领域，具体涉及一种适用于DC/DC电源结合浪涌抑制和EMI滤波的电路。

背景技术

供电系统是各种电子设备中不可缺少的组成部分，随着军用装备的发展和系统集成度的提高，电子设备的工作环境越来越复杂，其中系统内部的EMI噪声和开机浪涌电流带来的影响尤为突出，关系到整机工作性能和使用寿命。DC/DC电源作为供电系统的核心元器件，抑制其产生的EMI噪声和开机瞬间产生的浪涌需要设计相应的EMI滤波电路和浪涌抑制电路。通常的解决方法是在DC/DC电源的输入端串接基于MOSFET的浪涌抑制电路和EMI滤波器，但这种简单的串接会带来两个问题：1.输入正线采用P型MOSFET浪涌抑制电路在过压浪涌时，输出电压震荡、导通电阻大、效率低；2.输入地线采用N型MOSFET的浪涌电路在初次级地短接时，MOSFET常通导致浪涌电路失效。因此，需要将浪涌抑制电路与EMI滤波电路整合设计，以达到解决上述两个问题，同时又能有效抑制DC/DC电源噪声，提高设备电磁兼容性能的目的。

实用新型内容

本实用新型提出的一种适用于DC/DC电源结合浪涌抑制和EMI滤波的电路，可解决传统在抑制EMI噪声和浪涌时在DC/DC电源的输入端串接基于MOSFET的浪涌抑制电路和EMI滤波器，存在输出电压震荡、导通电阻大、效率低的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种适用于DC/DC电源结合浪涌抑制和EMI滤波的电路，包括浪涌抑制电路和EMI滤波电路；

所述浪涌抑制电路包括供电电路、方波产生电路、带自举电路的N型MOSFET开关电路；供电电路用于对母线电压进行降压稳压后给运算放大器供电；所述方波产生电路产生方波信号提供给自举电路；所述带自举电路的N型MOSFET开关电路，通过自举电路对方波信号进行整流并增大栅源电压使N型MOSFET开启，达到直流电压缓启目的。

所述EMI滤波电路包括共模滤波电路和差模滤波电路，共模和差模滤波电路用于滤除DC/DC电源共模、差模噪声以及自举电路中产生的叠加N型MOSFET漏、源极噪声。

进一步的，所述供电电路包括二极管V1、稳压管V2、功率开关三极管V3、电阻R1和电容C1；所述电阻R1、二极管V1和稳压管V2依次串联在共模电感的输出正端与输出负端之间，所述功率开关三极管V3的基极接在电阻R1和二极管V1连接的节点处，V3的集电极与共模电感L1的输出正端连接，V3的发射极与电容C1和运算放大器N1的供电正端连接。

进一步的，所述方波产生电路包含运算放大器N1、电阻R2、R3、R4、R5、R6和电容C2；所述运算放大器N1的正向输入端与电阻R2、R3、R5相连，其反向输入端与电阻R6和电容C2相连；所述运算放大器N1的输出端通过电容C3与自举电路的输入端相连；所述电阻R2和R3串接运算放大器N1的供电正端和地端之间；所述电阻R4接在运算放大器N1的供电正端和输出端之间；所述电阻R5接在运算放大器N1的正向输入端和输出端之间；所述电阻R6接在运算放大器N1的反向输入端和输出端之间。