[实用新型]一种硅粉清理装置

说明书

本实用新型公开了一种硅粉清理装置，用于清理多晶硅还原炉的底盘上电极窝内的硅粉，包括：隔离罩、吹气组件和吸取组件，隔离罩罩于电极窝的上方，且分别与吹气组件和吸取组件连通，吹气组件和吸取组件连接，吹气组件用于将隔离罩内的硅粉吹起，吸取组件用于吸取吹气组件吹起的硅粉，吹气组件先于吸取组件启动。本实用新型中，隔离罩罩于电极窝的上方，吹气组件将隔离罩中电极窝内的硅粉吹起，吸取组件与之配合吸取被吹起的硅粉，有效清理电极窝内的硅粉，提高电极的绝缘性能，硅粉清理的效率和质量提高，有效避免还原炉跳停，从而生产节拍得到保证且生产效率得以提高，具有很高的经济性，极为适合在业界推广使用。

技术领域

本实用新型总体而言涉及多晶硅生产领域，具体而言，涉及一种硅粉清理装置。

背景技术

目前，国内外主流的多晶硅生产工艺采用改良西门子法，该方法的主要流程为：氯气和氢气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按一定的比例混合后，在温度1080℃～1150℃和压强0.55Mpa的条件下发生反应生成单质硅，并沉积在硅芯表面，从而生成棒状多晶硅产品。

多晶硅生产过程中，为降低还原电耗，对还原炉运行的不同阶段需进行工况调整，尤其在运行的中期阶段需通过调节温度使还原炉内适度雾化，雾化时物料浓度较大，会在气场中发生沉积产生微小的硅粉颗粒，这些微小的颗粒在随气流流动的过程中部分会跌落在底盘上的电极窝和电极周边，随还原反应的进行会在电极窝里积累，在清理底盘和电极周边时，硅粉很容易掉落在电极窝内，电极窝空间有限，用现有的普通吸尘工具不能完全将掉落在电极窝内的硅粉吸出，如果电极窝内的硅粉清理不干净，在硅棒生长过程中，电极窝内的硅粉会降低电极的绝缘性能，导致还原炉跳停，影响生产效率。

因此，业界亟需一种可有效清理多晶硅还原炉电极窝内的硅粉的硅粉清理装置。

发明内容

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种可有效清理多晶硅还原炉电极窝内的硅粉的硅粉清理装置。

为实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案：

根据本实用新型的一个方面，提供了一种硅粉清理装置，用于清理多晶硅还原炉的底盘上电极窝内的硅粉，包括：隔离罩、吹气组件和吸取组件，所述隔离罩罩于所述电极窝的上方，且分别与所述吹气组件和所述吸取组件连通，所述吹气组件和所述吸取组件连接，所述吹气组件用于将所述隔离罩内的硅粉吹起，所述吸取组件用于吸取所述吹气组件吹起的硅粉，所述吹气组件先于所述吸取组件启动。

根据本实用新型的一实施方式，还包括收集组件，所述收集组件与所述吸取组件连通，用于收集所述吸取组件吸取的硅粉。

根据本实用新型的一实施方式，所述吹气组件连通存储罐体，并能够通断地向所述隔离罩内吹送化学性质不活泼的高压气体。

根据本实用新型的一实施方式，所述吹气组件连通所述存储罐体，并能够通断地向所述隔离罩内吹送高压氮气。

根据本实用新型的一实施方式，所述隔离罩通过气流管道与所述吹气组件连通。

根据本实用新型的一实施方式，所述隔离罩的敞口边缘抵接于所述底盘的上表面。

根据本实用新型的一实施方式，所述隔离罩的敞口边缘与所述底盘的上表面密封连接。

根据本实用新型的一实施方式，所述隔离罩的直径大于所述电极窝的直径。

根据本实用新型的一实施方式，所述隔离罩的直径为所述电极窝直径的2～3倍。

根据本实用新型的一实施方式，所述隔离罩设置一个以上。

由上述技术方案可知，本实用新型的硅粉清理装置的优点和积极效果在于：