[实用新型]一种30-120GHz混频器电路

说明书

本实用新型公开了一种30‑120GHz混频器电路，包括集成芯片JP1、三极管Q1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10。本实用新型根据集成混频芯片的端口特性，设计了对应的信号输入稳定电路，可以满足较宽频率范围段的信号进行传输和处理，同时满足通信系统对信号质量的要求。

技术领域

本实用新型涉及高频率混频器领域，具体来说，涉及一种30-120GHz混频器电路，可以用于较高频率段的混频电路使用，从而将混杂有中高频段的信号进行分离和使用。

背景技术

随着电路集成工艺的不断发展，混频器在各类电器中的使用率不断提高，特别是成本低、加工工艺简单的CMOS工艺，逐渐在混频器的使用中国占据了主导地位。

目前市面上经常使用的CMOS制作的混频器，主要是使用FET管为核心器件，但是由于FET管的截止频率比较低，一般很能实现高质量的频率分离效果。随着各类科技人员的不断研究和创新，今年来在高频范围的混频器得到了较好的推进，比如吉尔伯特混频器具有的平衡性很好的电路结构就可以完成较高性能的端口隔离。但是这种混频器的可使用频率范围带并不宽。

.本实用新型在使用集成混频芯片的同时，设计了完善大范围段高频率信号的输入电路，稳定信号传送并且消除噪声干扰，一定程度上完善了混频器使用频率范围较为狭窄的问题。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种30-120GHz混频器电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种30-120GHz混频器电路，包括集成芯片JP1、三极管Q1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10，其中，所述电容C6的一端与所述信号Output连接，所述电容C6的另一端分别与所述电阻R8的一端、所述电阻R9的一端连接，所述电阻R8的另一端分别与所述电阻R9的另一端、所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的集电极与所述电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述集成芯片JP1的第一引脚连接，所述三极管Q1的发射极与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端与所述集成芯片JP1的第三引脚连接，所述集成芯片JP1的第二引脚与所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端与所述信号Vd连接，所述电容C3的一端与所述集成芯片JP1的第四引脚连接，所述电容C3的另一端与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与所述信号Vg、所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述集成芯片JP1的第六引脚连接，所述集成芯片JP1的第八引脚与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端分别与所述电容C1的一端、所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电容C1的另一端均接地，所述集成芯片JP1的第五引脚断路，所述集成芯片JP1的第七引脚分别与所述电容C4的一端、所述电容C5的一端连接，所述电容C4的另一端与所述电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端分别与所述电容C5的另一端、所述信号Input连接。

进一步，所述集成芯片JP1的型号是MC13143。

进一步，所述三极管Q1的型号是2N3904。

进一步，所述电阻R1、所述电阻R3、所述电阻R4、所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R7、所述电阻R8、所述电阻R9与所述电阻R10的阻值大小均为1k Ohm；所述电阻R2的阻值大小为500 Ohm。