[实用新型]IBC电池结构有效
申请号: | 201821980205.0 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN209312778U | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 吴翔;郭永刚;屈小勇;马继奎;席珍珍 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂层 隧穿氧化层 电池结构 背面钝化层 本实用新型 开路电压 转换效率 基体相 通槽 背面 贯穿 | ||
本实用新型提供了一种IBC电池结构,包括:基体、设于所述基体背面的隧穿氧化层、第一掺杂层与第二掺杂层,所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧,所述第二掺杂层位于所述基体的背面,且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽;所述第一掺杂层上设有第一背面钝化层,所述第二掺杂层上设有第二背面钝化层。本实用新型涉及的IBC电池结构可具有更高的开路电压,进而可有利于实现较高的转换效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能领域,尤其涉及一种IBC电池结构。
背景技术
近年来,环境污染已经严重威胁到了社会与经济的发展和每个人的生存。在全球性化石能源日益耗尽、环境污染不断加重的今天,太阳能将与其他新型能源一起成为石油、煤、天然气等不可再生能源的理想补充和替代能源。随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池转换效率不断提高,成本不断降低,使得光伏发电的前景更为光明和宽阔。
IBC电池,其中的IBC具体为Interdigitated back contact,可理解为一种背结电池,较常规太阳电池,IBC电池的工艺流程要相对复杂。IBC电池中,电池开路电压的高低取决于钝化效果的好坏,目前一般的IBC电池都是采用氮化硅和二氧化硅等薄膜进行表面钝化。这种钝化结构可以减小表面复合速率,对开路电压的提升有一定帮助。但是,难以获得更高的开路电压,限制了电池转换效率的提升。
实用新型内容
本实用新型提供一种IBC电池结构,以解决采用氮化硅和二氧化硅等薄膜进行表面钝化难以获得更高的开路电压,限制了电池转换效率的提升的问题。
根据本实用新型的第一方面,提供了一种IBC电池结构,包括:基体、设于所述基体背面的隧穿氧化层、第一掺杂层与第二掺杂层,所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧,所述第二掺杂层位于所述基体的背面,且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽;所述第一掺杂层上设有第一背面钝化层,所述第二掺杂层上设有第二背面钝化层。
可选的,所述的结构,还包括与所述第一掺杂层欧姆连接的第一金属电极,以及与所述第二掺杂层欧姆连接的第二金属电极。
可选的,所述第一背面钝化层与所述第二背面钝化层分别包括至少一层氮化硅,或者包括层叠的至少一层氮化硅与至少一层二氧化硅。
可选的,所述第一掺杂层为p型掺杂层,所述第二掺杂层为n型掺杂层。
可选的,所述基体的正面设有前表面场。
可选的,所述前表面场的与所述基体相背的一侧设有第一正面钝化层。
可选的,所述第一掺杂层为n型掺杂层,所述第二掺杂层为p型掺杂层。
可选的,所述基体的正面设有表面浮动结。
可选的,所述表面浮动结的与所述基体相背的一侧设有第二正面钝化层。
可选的,所述基体的正面为金字塔绒面。
可选的,所述隧穿氧化层的厚度的取值范围为0.5-2纳米。
本实用新型提供的IBC电池结构,通过基体背面的隧穿氧化层,以及掺杂层上的背面钝化层,可以带来较佳的钝化效果,同时,由于隧穿氧化层特性,载流子可选择性透过隧穿氧化层进行自由传输,进而,IBC电池结构可具有更高的开路电压,进而可有利于实现较高的转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一实施例中IBC电池结构的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的